[发明专利]一种RFID芯片上的存储器阵列结构在审
| 申请号: | 201910863162.0 | 申请日: | 2019-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN110428860A | 公开(公告)日: | 2019-11-08 |
| 发明(设计)人: | 韦强;张建伟 | 申请(专利权)人: | 上海明矽微电子有限公司;张建伟 |
| 主分类号: | G11C16/04 | 分类号: | G11C16/04 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 存储器阵列结构 存储器阵列模块 读取 存储单元阵列 存储器阵列 工作特性 工作性能 基本操作 省略 功耗 减小 写入 应用 | ||
1.一种在RFID芯片上的EE存储阵列,其特征在于,包括:操作速度快,面积小。
2.如权利要求1所述的EE存储阵列,其特征在于,所述的在RFID的应用中,由于某些RFID的工作特性,为了提升操作速度,对该存储单元阵列的操作采取按页读取和按页写入的方式,以一个页为基本操作单位,使得EE存储器阵列中可以省略BSG管,这样就在不影响任何工作性能的条件下,减小了EE存储器阵列模块的面积。
3.如权利要求1所述的EE存储阵列,其特征在于,所述的其中,同一页中所有存储单元的字线WL短接,不同页相同地址的存储单元的位线BL短接。字线WL共计32根,分别编号为:WL0、WL1、…、WL31;位线共计32根,分别编号为BL0、BL1、…、BL31。
4.如权利要求1所述的EE存储阵列,其特征在于,所述的如图2所示,普通结构EE_cell阵列由CG,SG,BSG组成。
5.如权利要求1所述的EE存储阵列,其特征在于,所述的如图3所示,RFID中特殊结构EE_cell阵列由CG,SG组成。
6.如权利要求1所述的EE存储阵列,其特征在于,所述的我们以1K bits存储阵列为例,对该存储单元阵列的操作采取按页读取和按页写入的方式,即:将1K bits EE_cell分为32个页,以一个页为操作基本单位,每个页的大小为4个字节,即每32个存储单元组成一个页。
7.如权利要求1所述的EE存储阵列,其特征在于,所述的与普通结构的EE_cell阵列相比,省掉了128个由高压工艺器件组成的BSG电路,节省了较多面积。
8.如权利要求1所述的EE存储阵列,其特征在于,所述的以SMIC 0.13um工艺下的1Kbit的EEPROM为例,普通结构EE_cell阵列面积为1109.6496平方微米,特殊结构EE_cell阵列面积为861.588平方微米,面积减小了248平方微米左右。
9.如权利要求1所述的EE存储阵列,其特征在于,所述的特殊结构EE_cell比普通结构的EE_cellArray阵列节省了超过20%的面积,在大大节省面积的同时提升了操作速度。
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