[发明专利]显示面板及显示面板的制作方法在审
| 申请号: | 201910862817.2 | 申请日: | 2019-09-12 |
| 公开(公告)号: | CN110690229A | 公开(公告)日: | 2020-01-14 |
| 发明(设计)人: | 罗成志 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司: | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人: | 杨瑞 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 钝化保护层 第一电极 显示面板 光线透过率 无机介质材料 第一保护层 第二电极 阵列基板 平坦层 硅基 薄膜晶体管层 影响显示面板 衬底基板 沉积 塌陷 增设 支撑 制作 | ||
1.一种显示面板,其特征在于,包括阵列基板,所述阵列基板包括:
衬底基板;
薄膜晶体管层,包括多个阵列排布的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管设置于所述衬底基板上;
平坦层,所述平坦层设置于所述薄膜晶体管远离所述衬底基板的一侧上;
第一保护层,所述第一保护层设置于所述平坦层远离所述薄膜晶体管的一侧上;
第一电极层,所述第一电极层设置于所述第一保护层远离所述平坦层的一侧上;
钝化保护层,所述钝化保护层设置于所述第一电极层远离所述第一保护层的一侧上,并覆盖所述第一电极层和所述第一保护层;以及
第二电极层,所述第二电极层设置于所述钝化保护层远离所述第一电极层的一侧上;
其中,所述第一保护层和所述钝化保护层的材质均为硅基无机介质材料。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管包括源漏电极和间绝缘层,所述第二电极层与所述源漏电极之间设有第一连通孔,所述第二电极层通过所述第一连通孔与所述源漏电极相连接。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括触控电极,所述触控电极设置于所述间绝缘层上,所述第二电极层与所述触控电极之间设有第二连通孔,所述触控电极与所述第二电极层通过所述第二连通孔桥接,所述第二电极层与所述第一电极层之间设有第三连通孔,所述第二电极层与所述第一电极层通过所述第三连通孔桥接。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述阵列基板还包括触控电极,所述触控电极设置于所述间绝缘层上,所述第一电极层与所述触控电极之间设有第四连通孔,所述第一电极层与所述触控电极通过所述第四连通孔相连接。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一电极层和所述第二电极层的材料均为氧化铟锡。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述第一保护层和所述钝化保护层的材质均为SiOx。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板还包括:液晶层、与所述阵列基板相对设置的彩膜基板,所述液晶层设置于所述阵列基板和所述彩膜基板之间。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,所述钝化保护层的厚度范围为500~1500A。
9.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括:
提供衬底基板,所述衬底基板上形成有薄膜晶体管、触控电极和平坦层,所述薄膜晶体管包括源漏电极和间绝缘层;
在所述平坦层远离所述衬底基板的一侧上沉积形成第一保护层;
在所述第一保护层远离所述平坦层的一侧上沉积形成第一电极层,并对所述第一电极层曝光刻蚀形成第一电极图案;
在所述第一电极层远离所述第一保护层的一侧上沉积形成钝化保护层,并刻蚀所述钝化保护层,形成第一连通孔、第二连通孔和第三连通孔;以及
在所述钝化保护层上沉积形成第二电极层,并对所述第二电极层进行曝光刻蚀形成第二电极图案;
其中,所述第一保护层和所述钝化保护层的材质均为硅基无机介质材料,所述触控电极与所述第二电极层通过所述第二连通孔桥接,所述第二电极层与所述第一电极层通过所述第三连通孔桥接,所述源漏电极通过所述第一连通孔与所述第二电极层相连接。
10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述第一保护层和所述钝化保护层的材质均为SiOx。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





