[发明专利]多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质

说明书

本发明提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，串气检测方法包括如下步骤：提供一多站式沉积设备，通过多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行多站式沉积工艺，多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚晶圆进行多站式沉积工艺的站位；对晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；对多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行流量检测；根据薄膜均匀性检测和供气流量检测的结果判断多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。本发明通过引入一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，通过进行薄膜均匀性检测及供气流量检测，及时发现多站式沉积工艺过程中出现的串气，从而确保了薄膜沉积质量以及产品良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，特别是涉及一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质。

背景技术

在半导体制造工艺中，薄膜沉积工艺是一道关键制程。在同一腔室中设置多个站位以容纳多枚晶圆的设备结构因其在设备成本控制上所具有的独特优势而得到广泛的应用。其中，多站式顺序沉积工艺(multi-station sequential deposition)通过控制多枚晶圆顺次经过各个站位进行薄膜沉积，所得的薄膜沉积均匀性更好且片间均匀性不受站位位置影响。

目前，在多站式沉积工艺过程中，通过各个站位上方设置喷淋头供给工艺气体，并在晶圆表面沉积薄膜，而各个站位之间则通过气帘进行隔离，以确保各个站位的工艺气氛条件相对独立，避免因串气而导致薄膜沉积均匀性不佳等缺陷。

然而，工艺气体的供给流量和持续时间等参数作为多站式沉积工艺的重要可调参数，在对工艺菜单(recipe)进行调试时，随着工艺气体流量及工艺时间的调整变化，各个站位之间的气压平衡可能被打破，致使各个站位之间出现串气现象。如无法及时发现菜单调试所导致的串气现象，就会影响产品晶圆的薄膜沉积质量以及产品良率。

因此，有必要提出一种新的多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，解决上述问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种多站式沉积工艺的串气检测方法、设备及可读存储介质，用于解决现有技术中无法及时发现菜单调试所导致的串气现象，进而影响产品晶圆的薄膜沉积质量以及产品良率的问题。

为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种多站式沉积工艺的串气检测方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供一多站式沉积设备，通过所述多站式沉积设备对一枚或多枚晶圆进行所述多站式沉积工艺，所述多站式沉积设备具有位于同一腔室中的多个用于容纳多枚所述晶圆进行多站式沉积工艺的站位；

对完成所述多站式沉积工艺的所述晶圆表面沉积的薄膜进行薄膜均匀性检测；

对所述多站式沉积工艺中所供给的工艺气体进行供气流量检测；

根据所述薄膜均匀性检测和所述供气流量检测的结果判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。

作为本发明的一种可选方案，所述薄膜均匀性检测包括对所述薄膜的厚度均匀性的检测。

作为本发明的一种可选方案，所述薄膜包括金属薄膜，所述薄膜均匀性检测包括对所述薄膜的方块电阻均匀性的检测。

作为本发明的一种可选方案，将在进行所述多站式沉积工艺时任意一站位的所述晶圆按照与其他站位上的所述晶圆的距离远近划分为邻近区和非邻近区，根据所述邻近区与所述非邻近区的所述薄膜均匀性检测的结果，判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。

作为本发明的一种可选方案，所述工艺气体为多种，在进行所述多站式沉积工艺时，各个所述站位依次通入多种所述工艺气体，通过检测任意时刻各个所述站位是否通入不同种的所述工艺气体，判断所述多站式沉积工艺的过程中是否出现串气。