[发明专利]用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统有效

专利信息
申请号: 201910861052.0 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN111210848B 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 黎韦源;马信杰 申请(专利权)人: 新科实业有限公司
主分类号: G11B5/596 分类号: G11B5/596;G11B5/48
代理公司: 深圳永慧知识产权代理事务所(普通合伙) 44378 代理人: 宋鹰武
地址: 中国香港新界沙田香*** 国省代码: 香港;81
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摘要:
搜索关键词: 用于 辅助 记录 过渡 曲率 改进 系统
【权利要求书】:

1.一种热辅助磁记录头,包括:

主磁极,所述主磁极用于热辅助磁记录介质的写入;

波导,所述波导用于引导能量;以及

平面等离子体发生器(PPG),所述平面等离子体发生器包括钉状件并且与所述波导相邻,所述平面等离子体发生器用于将所述能量转换成表面等离子体,所述表面等离子体沿着所述钉状件行进以加热所述热辅助磁记录介质;

其中,所述主磁极包括能够产生第一磁场强度的第一部分以及能够产生比所述第一磁场强度强的磁场强度的至少一个附加部分,使得当在所述热辅助磁记录介质上进行写入时,所述主磁极的沿着其水平方向的磁场能够生成直的过渡曲线;所述第一部分由具有第一饱和磁通密度的磁性材料或非磁性材料制成,并且每个附加部分由具有比所述第一饱和磁通密度大的饱和磁通密度的材料制成;所述第一部分放置在所述主磁极的中心,并且所述至少一个附加部分包括沿着所述主磁极的水平方向分别放置在所述第一部分的两侧上的两个第二部分,每个第二部分由具有第二饱和磁通密度的材料制成,所述第二饱和磁通密度比所述第一饱和磁通密度大;

其中,所述至少一个附加部分还包括沿着所述主磁极的水平方向将所述两个第二部分夹于之间的第三部分,所述第三部分由具有第三饱和磁通密度的材料制成,所述第三饱和磁通密度比所述第二饱和磁通密度大。

2.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头,其中,所述两个第二部分由不同的材料制成。

3.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头,其中,所述第一部分的截面的形状和所述两个第二部分的截面的形状是矩形。

4.根据权利要求3所述的热辅助磁记录头,其中,所述第一部分和所述两个第二部分的高度相同。

5.根据权利要求1所述的热辅助磁记录头,其中,所述主磁极具有凹口形状的面向介质的表面、或平面的面向介质的表面、或三角形形状的面向介质的表面。

6.一种用于热辅助磁记录的过渡曲率改进的系统,包括:

能量源;

热辅助磁记录头,包括:

主磁极,所述主磁极用于热辅助磁记录介质的写入;

波导,所述波导用于引导由所述能量源产生的能量;以及

平面等离子体发生器(PPG),所述平面等离子体发生器包括钉状件并且与所述波导相邻,所述平面等离子体发生器用于将所述能量转换成表面等离子体,所述表面等离子体沿着所述钉状件行进以加热所述热辅助磁记录介质;

其中,所述主磁极包括能够产生第一磁场强度的第一部分以及能够产生比所述第一磁场强度强的磁场强度的至少一个附加部分,使得当在所述热辅助磁记录介质上进行写入时,所述主磁极的沿着其水平方向的磁场能够生成直的过渡曲线;所述第一部分由具有第一饱和磁通密度的磁性材料或非磁性材料制成,并且每个附加部分由具有比所述第一饱和磁通密度大的饱和磁通密度的材料制成;所述第一部分放置在所述主磁极的中心,并且所述至少一个附加部分包括沿着所述主磁极的水平方向分别放置在所述第一部分的两侧上的两个第二部分,每个第二部分由具有第二饱和磁通密度的材料制成,所述第二饱和磁通密度比所述第一饱和磁通密度大;

其中,所述至少一个附加部分还包括沿着所述主磁极的水平方向将所述两个第二部分夹于之间的第三部分,所述第三部分由具有第三饱和磁通密度的材料制成,所述第三饱和磁通密度比所述第二饱和磁通密度大。

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