[发明专利]一种二氧化钒纳米线及其制备方法、应用在审

专利信息
申请号: 201910860496.2 申请日: 2019-09-11
公开(公告)号: CN111204805A 公开(公告)日: 2020-05-29
发明(设计)人: 张振华;赵晓迪;郭俊杰 申请(专利权)人: 杭州电子科技大学
主分类号: C01G31/02 分类号: C01G31/02
代理公司: 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 代理人: 尉伟敏;薄盈盈
地址: 310018 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化 纳米 及其 制备 方法 应用
【权利要求书】:

1.一种二氧化钒纳米线,其特征在于,所述二氧化钒纳米线由外延生长法制得,所述二氧化钒纳米线同向分布,所述二氧化钒纳米线的长度为3~13μm,直径为0.3~1.2μm,长径比为2.5~43。

2.一种如权利要求1所述的二氧化钒纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)清洗衬底;

(2)将钒源和衬底一并放在加热容器里,然后放入管式炉中,控制炉内的真空度到10Pa以下;

(3)通入氧、氩混合气体,将管式炉进行升温,并保温;

(4)通入纯氩气,先降温,然后保温;

(5)降温取出衬底,即在衬底表面制得二氧化钒纳米线。

3.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述钒源为五氧化二钒;所述衬底为蓝宝石衬底;所述蓝宝石衬底为r方向切割,基面为(1-102)晶面,单面抛光。

4.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(1)中,清洗工艺为采用无水乙醇和去离子水交替循环超声清洗10~20min。

5.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(2)中,衬底放置方式为:将衬底的正面朝下,距离钒源4~6cm处。

6.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(3)中,所述氧氩混合气体的流量为80~100sccm;所述氧氩混合气体中氧气的体积分数为20%,氩气的体积分数为80%;步骤(4)中,所述纯氩气的流量为80~100sccm。

7.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(3)中,管内压强控制在110~150Pa。

8.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(3)中,升温时间和保温时间均为30~40min;保温温度为850~900℃。

9.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(4)中,降温幅度为在步骤(3)的保温温度基础上降低20~25℃;保温时间为10~15min。

10.一种如权利要求1所述的二氧化钒纳米线在场效应管、传感器、热敏电阻、光信息储存领域中的应用。

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