[发明专利]一种二氧化钒纳米线及其制备方法、应用在审
申请号: | 201910860496.2 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN111204805A | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 张振华;赵晓迪;郭俊杰 | 申请(专利权)人: | 杭州电子科技大学 |
主分类号: | C01G31/02 | 分类号: | C01G31/02 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏;薄盈盈 |
地址: | 310018 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氧化 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种二氧化钒纳米线,其特征在于,所述二氧化钒纳米线由外延生长法制得,所述二氧化钒纳米线同向分布,所述二氧化钒纳米线的长度为3~13μm,直径为0.3~1.2μm,长径比为2.5~43。
2.一种如权利要求1所述的二氧化钒纳米线的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)清洗衬底;
(2)将钒源和衬底一并放在加热容器里,然后放入管式炉中,控制炉内的真空度到10Pa以下;
(3)通入氧、氩混合气体,将管式炉进行升温,并保温;
(4)通入纯氩气,先降温,然后保温;
(5)降温取出衬底,即在衬底表面制得二氧化钒纳米线。
3.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(1)中,所述钒源为五氧化二钒;所述衬底为蓝宝石衬底;所述蓝宝石衬底为r方向切割,基面为(1-102)晶面,单面抛光。
4.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(1)中,清洗工艺为采用无水乙醇和去离子水交替循环超声清洗10~20min。
5.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(2)中,衬底放置方式为:将衬底的正面朝下,距离钒源4~6cm处。
6.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(3)中,所述氧氩混合气体的流量为80~100sccm;所述氧氩混合气体中氧气的体积分数为20%,氩气的体积分数为80%;步骤(4)中,所述纯氩气的流量为80~100sccm。
7.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(3)中,管内压强控制在110~150Pa。
8.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(3)中,升温时间和保温时间均为30~40min;保温温度为850~900℃。
9.根据权利要求2所述的一种外延生长大规模直立二氧化钒纳米线的方法,其特征在于,步骤(4)中,降温幅度为在步骤(3)的保温温度基础上降低20~25℃;保温时间为10~15min。
10.一种如权利要求1所述的二氧化钒纳米线在场效应管、传感器、热敏电阻、光信息储存领域中的应用。
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