[发明专利]光刻版中沟槽的制造方法和沟槽刻蚀方法有效
| 申请号: | 201910859737.1 | 申请日: | 2019-09-11 |
| 公开(公告)号: | CN110767601B | 公开(公告)日: | 2022-10-14 |
| 发明(设计)人: | 何火军;高周妙;庞海舟;隋晓明;罗宁;赵学锋 | 申请(专利权)人: | 杭州士兰集昕微电子有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768 |
| 代理公司: | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人: | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址: | 310018 浙江省杭州市杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 光刻 沟槽 制造 方法 刻蚀 | ||
1.一种光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,包括:
提供一光刻基板,所述光刻基板包括多个芯片图案区以及划片区;
设置多个第一沟槽图案,所述多个第一沟槽图案分布在所述多个芯片图案区内,每个所述第一沟槽图案用于分别形成相应的一个芯片区中的第一沟槽;以及
设置多个第二沟槽图案,所述多个第二沟槽图案分布在所述划片区内,每个所述第二沟槽图案分别用于形成划片道中的第二沟槽,所述划片道用于限定每个所述芯片区的边缘,所述第二沟槽图案中的至少部分沟槽延伸方向与所述第一沟槽图案的部分沟槽延伸方向不平行,
其中,所述划片区内还设置有多个标记图案,且所述第二沟槽图案在所述标记图案分隔的范围内至少有两种不同图形按照短程有序排列。
2.根据权利要求1所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,每个所述第二沟槽图案为独立复合图形。
3.根据权利要求2所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述多个第二沟槽图案以一定间隔进行排列。
4.根据权利要求3所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述多个第二沟槽图案等间距排列。
5.根据权利要求4所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述多个第二沟槽图案之间的间距为0-100um。
6.根据权利要求3所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述多个第二沟槽图案之间的间距和/或每个所述第二沟槽图案的宽度可调。
7.根据权利要求2所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述第二沟槽图案包括至少一个长条形、折线形、圆环形、多边环形组合而成的旋转对称图形。
8.根据权利要求2所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述第二沟槽图案包括至少一个长条形、折线形、圆环形、多边环形组合而成的旋转非对称图形。
9.根据权利要求8所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述第二沟槽图案由长度不同的第一折线和第二折线组成,所述第一折线和第二折线的指向垂直。
10.根据权利要求8所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述第二沟槽图案由多个第三折线组成,所述多个第三折线等间隔排列。
11.根据权利要求8所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述第二沟槽图案由长度不同的多个第一线条和第二线条组成,所述多个第一线条和所述多个第二线条错位交叉排布。
12.根据权利要求1所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述第一沟槽的深度与所述第二沟槽的深度相等。
13.根据权利要求1所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述第一沟槽的深度与所述第二沟槽的深度不相等。
14.根据权利要求1所述的光刻版中沟槽的制造方法,其特征在于,所述第一沟槽与所述第二沟槽在同一工艺步骤下制作而成。
15.一种沟槽刻蚀方法,其特征在于,包括:
提供一晶圆;
通过光刻版对所述晶圆进行光刻,将所述光刻版上的第一沟槽图案和第二沟槽图案转移到所述晶圆的光刻胶上形成第一光刻图案和第二光刻图案;
根据所述第一光刻图案和所述第二光刻图案用于在所述晶圆的芯片区和划片道中形成第一沟槽和第二沟槽,所述划片道用于限定每个所述芯片区的边缘,所述第二沟槽图案中的至少部分沟槽延伸方向与所述第一沟槽图案的部分沟槽延伸方向不平行,
其中,所述光刻版内还设置有多个标记图案,且所述第二沟槽图案在所述标记图案分隔的范围内至少有两种不同图形按照短程有序排列。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





