[发明专利]一种反向导通场截止型IGBT及其制作方法无效

申请号：	201910859652.3	申请日：	2019-09-11
公开（公告）号：	CN110473913A	公开（公告）日：	2019-11-19
发明（设计）人：	徐守一;陈广乐;蔡铭进	申请（专利权）人：	厦门芯达茂微电子有限公司
主分类号：	H01L29/06	分类号：	H01L29/06;H01L21/331;H01L29/739
代理公司：	35234 厦门加减专利代理事务所(普通合伙)	代理人：	王春霞<国际申请>=<国际公布>=<进入
地址：	361006 福建省厦门市火炬高新区火炬园***	国省代码：	福建;35
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摘要：
搜索关键词：	衬底反向导通场限环截止型氧化物介质层电场终止层漂移载流子寿命场氧化层钝化层发射极集电极漂移区制程背面背离覆盖
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【权利要求书】：

1.一种反向导通场截止型IGBT，其特征在于：包括衬底；所述衬底为P型衬底(10)；所述P型衬底(10)的背面设有集电极(20)；所述P型衬底(10)的正面设有电场终止层(30)；所述电场终止层(30)背离所述P型衬底(10)的一面设有漂移区(40)；所述漂移区(40)内设有P型的场限环(50)，所述场限环(50)设有多个；所述场限环(50)上设有场氧化层(60)和氧化物介质层(70)；

所述P型衬底(10)的正面还设有P阱(80)，所述P阱(80)内设有N型的发射极(81)；所述氧化物介质层(70)上覆盖设有钝化层(90)。

2.一种如权利要求1所述的反向导通场截止型IGBT的制作方法，其特征在于：步骤A，在P型衬底(10)上光刻注入N型杂质，形成逆导结构；

步骤B，往上生长5um厚度的N+，形成电场终止层(30)；

步骤C，在FS EPI上生长一层49um的N-，形成的漂移区(40)；

步骤D，再往上生长9um厚度的N-，用于后续MOS的制作；

步骤E，然后对其进行表面场氧化、退火、光刻蚀刻；

步骤F，全面注入N型杂质后进行高温退火；

步骤G，进行栅氧化层的生长，淀积多晶硅，利用栅极光刻蚀刻形成栅极；

步骤H，全面注入B11形成PW沟道区；光刻注入As形成N+发射区；在表面生长厚度为0.5um的氧化物介质层(70)，再进行光刻蚀刻、B11离子注入和退火形成接触区；之后进行淀积金属光刻蚀刻形成金属发射极(81)和淀积钝化层(90)光刻蚀刻形成钝化；

步骤I，将背面研磨至逆导结构，再对其进行抛光、清洗、蒸发、合金形成背面金属，形成集电极(20)；

步骤J，采用高能电子束对晶圆进行辐照，引入晶格缺陷，降低漂移区(40)的载流子寿命。

3.根据权利要求2所述的反向导通场截止型IGBT的制作方法，其特征在于：所述N型杂质为P31。