[发明专利]一种单向透光玻璃及制备方法

权利要求书

1.一种单向透光玻璃，包括：玻璃基板以及依次叠加设置在所述玻璃基板一侧表面的复合电介质层、非晶硅层、第一SiOx层、微晶硅层、第二SiOx层；其中，所述复合电介质层和所述非晶硅层组成第一光学模块，所述第一SiOx层、所述微晶硅层和所述第二SiOx层组成第二光学模块；所述复合电介质层、所述非晶硅层、所述第一SiOx层、所述微晶硅层、所述第二SiOx层依次沉积在所述玻璃基板同一侧面；

所述复合电介质层的厚度为12-20nm，所述复合电介质层的折射率在1.6-2.2之间；所述非晶硅层的厚度为20-35nm，折射率在3.2-3.7之间；所述第一SiOx层的厚度为20-40nm，折射率在1.3-2.3；所述微晶硅层厚度为10-15nm，折射率在3.6-3.8；所述第二SiOx层的厚度为40-80nm，折射率在2.3-2.7。

2.根据权利要求1所述的一种单向透光玻璃，其特征在于：所述复合电介质层包括SiOx、SiNx、SiNyOx一种或者多种复合薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种单向透光玻璃，其特征在于：所述复合电介质层、所述非晶硅层、所述第一SiOx层、所述微晶硅层、所述第二SiOx层均能够通过等离子体增强化学的气相沉积法制备沉积。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的一种单向透光玻璃的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

S1、在所述玻璃基板上沉积复合电介质层；

S2、在所述复合电介质层上采用等离子增强化学气相沉积法沉积非晶硅层；

S3、在所述非晶硅层上采用等离子增强化学气相沉积法沉积第一SiOx层；

S4、在所述第一SiOx层上采用等离子增强化学气相沉积法沉积微晶硅层；

S5、在所述微晶硅上采用等离子增强化学气相沉积法沉积第二SiOx层。

5.根据权利要求4所述的一种单向透光玻璃的制备方法，其特征在于：所述复合电介质层采用等离子增强化学气相沉积法制备，制备工艺为：沉积温度180-240度；沉积时设备腔体中的压力为30-60Pa；等离子体的功率密度为300-450W/m2；采用SiH4 ,CO2 ,NH3为反应源气体，其中SiH4：CO2：NH3的流量比为1：(0-1 .2)：(0-0 .8)。

6.根据权利要求4所述的一种单向透光玻璃的制备方法，其特征在于：所述非晶硅层采用等离子增强化学气相沉积法制备，制备工艺为：沉积温度180-220度；沉积时设备腔体中的压力为30-45Pa；等离子体的功率密度为400-600W/m2；采用SiH4和H2为反应源气体，其中SiH4：H2的流量比为1：(0 .8-1 .4)。

7.根据权利要求4所述的一种单向透光玻璃的制备方法，其特征在于：所述第一SiOx层采用等离子增强化学气相沉积法制备，制备工艺为：沉积温度180-220度；沉积时设备腔体中的压力为30-55Pa；等离子体的功率密度为500-650W/m2；采用SiH4和CO2为反应源气体，其中SiH4：CO2的流量比为1：(1 .2-2 .0)。

8.根据权利要求4所述的一种单向透光玻璃的制备方法，其特征在于：所述微晶硅层采用等离子增强化学气相沉积法制备，制备工艺为：沉积温度160-200度；沉积时设备腔体中的压力为50-70Pa；等离子体的功率密度为700-1100W/m2；采用SiH4和H2为反应源气体，其中SiH4：H2的流量比为1：(0 .5-1 .2)。

9.根据权利要求4所述的一种单向透光玻璃的制备方法，其特征在于：所述第二SiOx层采用等离子增强化学气相沉积法制备，制备工艺为：沉积温度180-220度；沉积时设备腔体中的压力为30-55Pa；等离子体的功率密度为500-650W/m2；采用SiH4和CO2为反应源气体，其中SiH4：CO2的流量比为1：(0 .6-1 .2)。