[发明专利]引脚装配导向件及电路板组件在审
申请号: | 201910858132.0 | 申请日: | 2019-09-11 |
公开(公告)号: | CN110572954A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
发明(设计)人: | 翁旦;陈龙;马凯;施欢峪;汪彬彬;褚文强;郑鑫;王帮伟;章正昌;杨睿诚 | 申请(专利权)人: | 苏州汇川技术有限公司 |
主分类号: | H05K3/30 | 分类号: | H05K3/30;H05K3/34;H05K1/18 |
代理公司: | 44217 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 陆军 |
地址: | 215104 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 板状主体 导引孔 开口 引脚 装配导向件 导引壁 印制电路板 上表面 孔壁 电路板组件 绝缘材料 逐渐变小 装配效率 固定部 下表面 插接 焊孔 接引 贯穿 | ||
本发明实施例提供了一种引脚装配导向件及电路板组件,所述引脚装配导向件包括由绝缘材料构成的板状主体,所述板状主体上具有多个导引孔以及固定部,且所述多个导引孔分别贯穿所述板状主体;每一所述导引孔包括位于所述板状主体的上表面的第一开口、位于所述板状主体的下表面的第二开口以及位于所述第一开口和第二开口之间的孔壁,所述孔壁包括导引壁,所述导引壁自所述第二开口而形成,且在朝向所述板状主体上表面的方向上,所述导引壁的横截面逐渐变小至与待插接的引脚横截面大小所适应。本发明实施例通过引脚装配导向件上的导引孔,把多个待插接引脚同时导入到印制电路板的焊孔内,大大提高了印制电路板的装配效率。
技术领域
本发明实施例涉及电力电子技术领域,更具体地说,涉及一种引脚装配导向件及电路板组件。
背景技术
晶体管(transistor)是一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等),具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,切换速度可达100GHz以上。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管)是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属-氧化物半导体场效应晶体管)的高输入阻抗和GTR(Giant Transistor,电力晶体管)的低导通压降两方面的优点,非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
在分布式IGBT电控系统(例如电机控制器)中,为保证IGBT正常工作,需将IGBT工作时产生的热量快速散去。目前,为实现IGBT的散热,通常将各个IGBT单管(模块)安装到散热器上,同时,为实现对IGBT单管的通断控制,需要将各个IGBT的控制信号引脚插入到电路板上,并与电路板通过焊接方式连接。
如图1所示,现有的分布式IGBT电控系统在IGBT单管装配时,先将IGBT单管固定到散热器(该散热器安装在箱体10内),然后将叠层母排13与IGBT单管的直流引脚、交流引脚焊接起来,最后装配电路板,并将IGBT单管的控制信号引脚121焊接固定到电路板11。由于IGBT单管的数量较多,其控制信号引脚121的数量也较多,并且各个IGBT单管的控制信号引脚121位置偏差较大,导致在将IGBT单管的控制信号引脚121插入到电路板11的各个焊孔时非常困难,往往需要手工调配30分钟以上,不仅费时费力,而且无法实现批量装配。
发明内容
本发明实施例针对上述分布式IGBT电控系统中,因IGBT单管的控制信号引脚数量较多且位置偏差较大,而导致电路板装配费时费力、无法实现批量装配的问题,提供一种引脚装配导向件及电路板组件。
本发明实施例解决上述技术问题的技术方案是,提供一种引脚装配导向件,包括由绝缘材料构成的板状主体,所述板状主体上具有多个导引孔以及固定部,且所述多个导引孔分别贯穿所述板状主体;每一所述导引孔包括位于所述板状主体的上表面的第一开口、位于所述板状主体的下表面的第二开口以及位于所述第一开口和第二开口之间的孔壁,所述孔壁包括导引壁,所述导引壁自所述第二开口而形成,且在朝向所述板状主体上表面的方向上,所述导引壁的横截面逐渐变小至与待插接的引脚横截面大小所适应;所述导引壁用以引导待插接的引脚便利地插入所述第二开口并穿过所述板状主体后从第一开口穿出。
优选地,所述第一开口和第二开口的形状为圆形、椭圆形、方形、及适应所需插接引脚横截面的形状中其中一种。
优选地,所述孔壁还包括与所述导引壁相连的柱形段,且所述柱形段延伸至所述第一开口。
优选地,所述导引壁自第二开口延伸至所述第一开口。
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