[发明专利]半导体器件

说明书

公开了一种半导体器件，其包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案在所述栅电极的一侧位于所述衬底上；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年10月15日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0122554的优先权，其全部内容通过引用结合于本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体器件，更具体地，涉及包括鳍式场效应晶体管的半导体器件。

背景技术

半导体器件由于其小尺寸、多功能性和/或低制造成本而在电子产业中是有益的。半导体器件可以包括存储逻辑数据的半导体存储器件、处理逻辑数据的操作的半导体逻辑器件以及具有存储元件和逻辑元件的混合半导体器件。随着电子产业的先进发展，半导体器件越来越需要高集成度。例如，越来越多地要求具有增加的可靠性、增加的速度和/或多功能性的半导体器件。半导体器件变得越来越复杂和集成以满足这些要求的特性。

发明内容

本发明构思的一些示例实施例提供了具有改善的可靠性的半导体器件。本公开不限于此目的，本领域技术人员根据以下描述将清楚地理解本发明构思的其他目的。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案位于所述衬底上并与所述栅电极间隔开；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面在竖直方向上延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：栅电极，所述栅电极位于衬底上；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案位于所述衬底上并与所述栅电极间隔开；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅电极上。所述栅极接触插塞可以包括：第一金属插塞，所述第一金属插塞位于所述栅电极上；以及第一阻挡图案，所述第一阻挡图案覆盖所述第一金属插塞的侧壁。所述第一金属插塞可以包括由所述第一阻挡图案暴露的第一上部和由所述第一阻挡图案覆盖的第一下部。

根据本发明构思的一些示例实施例，一种半导体器件可以包括：有源鳍，所述有源鳍从衬底的顶面竖直地突出；栅极图案，所述栅极图案跨所述有源鳍延伸；源极/漏极图案，所述源极/漏极图案位于所述衬底上并与所述栅极图案间隔开；以及栅极接触插塞，所述栅极接触插塞位于所述栅极图案上。所述栅极接触插塞可以包括：第一栅极接触段；以及第二栅极接触段，所述第二栅极接触段从所述第一栅极接触段的顶表面竖直地延伸。所述第一栅极接触段的上部宽度可以大于所述第二栅极接触段的下部宽度。

附图说明

图1示出了显示根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件的俯视图。

图2A示出了沿图1中的线I-I'截取的截面图，显示了根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件。

图2B示出了沿图1中的线II-II'截取的截面图，显示了根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件。

图2C示出了沿图1中的线III-III'截取的截面图，显示了根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件。

图2D示出了显示根据本发明构思的一些示例实施例的栅极接触插塞和源极/漏极接触插塞的放大截面图。

图3A示出了沿图1中的线I-I'截取的截面图，显示了根据本发明构思的一些示例实施例的半导体器件。