[发明专利]超薄高导热石墨膜的制备方法在审
| 申请号： | 201910856006.1 | 申请日： | 2019-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN110562971A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 杨文斌;吴永飞;陈夫忠;陈浩;王亚东 | 申请（专利权）人： | 世星科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B32/205 | 分类号： | C01B32/205 |
| 代理公司： | 32367 苏州通途佳捷专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 214000 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 石墨膜 收卷 高导热 石墨化产物 碳化产物 聚酰胺酸 亚胺化 放卷 制备 化学反应 压延 连续式生产 一体化生产 热处理 薄膜卷材 石墨化炉 压辊表面 真空碳化 石墨化 碳化炉 压延机 移动 发泡 双胺 双酐 碳化 制程 制造 | ||
【权利要求书】：
1.超薄高导热石墨膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
步骤一：将双胺化合物与双酐化合物进行化学反应得到聚酰胺酸；
步骤二：将得到的聚酰胺酸放在碳化炉中先后进行亚胺化和真空碳化制程处理得到PI膜碳化产物，将PI膜碳化产物进行收卷；
步骤三：将收卷后的PI膜碳化产物移动到石墨化炉内放卷进行热处理石墨化发泡得到PI膜石墨化产物，将PI膜石墨化产物进行收卷；
步骤四：将收卷后的PI膜石墨化产物移动到压延机处放卷经过高压压辊表面进行压延得到超薄高导热石墨膜，然后将得到的超薄高导热石墨膜进行收卷。
2.如权利要求1所述的超薄高导热石墨膜的制备方法，其特征在于：所述步骤二中的碳化炉中设置有两个温度区，分别为亚胺化温度区和碳化制程处理温度区。
3.如权利要求2所述的超薄高导热石墨膜的制备方法，其特征在于：所述亚胺化温度区内的温度是25～400℃，亚胺化的时间为1-3min。
4.如权利要求2所述的超薄高导热石墨膜的制备方法，其特征在于：所述碳化制程处理温度区内的温度是25～1300℃，碳化的时间为3-5min，所述碳化制程处理是在真空环境下进行的。
5.如权利要求1所述的超薄高导热石墨膜的制备方法，其特征在于：所述步骤三中的石墨化炉内的温度为0-2800℃，石墨化的时间为8-15h。
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