[发明专利]谐振器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910854492.3 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110635776B | 公开（公告）日： | 2023-02-24 |
| 发明（设计）人： | 王友良;唐滨;王家友;魏涛;赖志国;唐兆云;杨清华 | 申请（专利权）人： | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 215002 江苏省苏州市苏州工业园区金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器 及其 制造 方法 | ||
1.一种谐振器，包括：
第一电极，位于基板上；
压电层，位于第一电极上；
第二电极，位于压电层上；
框架图形，位于第二电极与压电层之间，其中第二电极在框架图形下方具有接触框架图形下表面并向内延伸的侧向突出部以围绕在框架图形下方与压电层之间的空气隙。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中，侧向突出部的宽度为0.1～0.5微米。
3.根据权利要求1所述的谐振器，其中，空气隙的高度和/或框架图形的厚度为50～200nm。
4.根据权利要求1所述的谐振器，其中，空气隙中填充与压电层实质上不反应或难反应的气体。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其中，第二电极上进一步具有钝化层。
6.一种谐振器的制造方法，包括：
在基板上依次形成第一电极、压电层、填充层、框架层；
采用光刻-蚀刻工艺，将框架层图形化为框架图形；
侧向腐蚀填充层，在框架图形下方留下填充层的凹陷部；
在框架图形和压电层上形成第二电极，其中第二电极在框架图形下方具有侧向突出部；
完全去除填充层，在侧向突出部之间留下空气隙。
7.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，侧向突出部的宽度为0.1～0.5微米。
8.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，空气隙的高度和/或框架图形的厚度为50～200nm。
9.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，凹陷部的宽度为0.5～3微米。
10.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，填充层和/或框架图形的膜厚偏差小于5％。
11.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，侧向突出部的宽度小于凹陷部的宽度。
12.根据权利要求11所述的谐振器的制造方法，其中，侧向突出部与凹陷部之间剩余空隙的宽度大于0.5微米。
13.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，填充层材质为氧化硅基材料、氮化硅基材料、氮氧化硅基材料或非晶态碳基材料。
14.根据权利要求13所述的谐振器的制造方法，其中，侧向腐蚀填充层与完全去除填充层的工艺中采用的蚀刻剂为氟化氢基蚀刻液、热磷酸蚀刻液、强酸/强氧化剂混合液或氧等离子体。
15.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，光刻-蚀刻工艺期间对填充层的损伤小于20nm。
16.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，完全去除填充层期间对压电层的损伤小于10nm。
17.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，完全去除填充层之后，在空气隙中填充与压电层实质上不反应或难反应的气体。
18.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，第二电极上进一步形成钝化层。
19.根据权利要求6所述的谐振器的制造方法，其中，光刻-蚀刻工艺期间，蚀刻剂对于框架层的蚀刻速率与对于填充层的蚀刻速率之比大于2:1。
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