[发明专利]谐振器及其制造方法有效
| 申请号： | 201910851524.4 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110635775B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 唐滨;王家友;王友良;赖志国;唐兆云;杨清华 | 申请（专利权）人： | 苏州汉天下电子有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 215002 江苏省常州市苏州工业园区金*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 谐振器 及其 制造 方法 | ||
1.一种谐振器，包括：
第一电极，位于基板上；
压电层，位于第一电极上；
第二电极，位于压电层上；
框架，位于第二电极上方，框架的厚度沿垂直方向渐变，框架具有采用热退火、氧化/氮化、或各向同性蚀刻形成的圆化侧壁或椭圆化侧壁、且曲率从下至上依次增大，框架与第二电极材料相同且一体形成。
2.根据权利要求1所述的谐振器，其中，基板中具有空腔。
3.根据权利要求2所述的谐振器，其中，框架内边界沿水平方向向内延伸超过空腔边界。
4.根据权利要求2所述的谐振器，其中，框架内边界与空腔边界水平距离为0.1～10微米。
5.根据权利要求1所述的谐振器，其中，框架外边界与内边界之间的宽度为0.2～20微米。
6.根据权利要求1所述的谐振器，其中，框架厚度为10～500nm。
7.根据权利要求2所述的谐振器，其中，空腔内填充保护性气体或惰性气体或为真空。
8.根据权利要求2所述的谐振器，其中，基板顶部具有凹凸结构并填充与空腔内相同的气体或为真空。
9.根据权利要求1所述的谐振器，其中，第一电极及第二电极材质为同种或不同种的难熔导电金属。
10.根据权利要求9所述的谐振器，其中，第一电极或第二电极为单种金属或者多层金属组合。
11.根据权利要求1所述的谐振器，其中，框架的材质为导电材料。
12.根据权利要求1所述的谐振器，其中，框架与第一或第二电极的夹角为15～60度。
13.一种谐振器制造方法，包括步骤：
在基板上形成第一电极；
在第一电极上形成压电层；
在压电层上形成第二电极；
其中，在形成第二电极之后在第二电极上形成框架，框架的厚度沿垂直方向渐变，框架具有采用热退火、氧化/氮化、或各向同性蚀刻形成的圆化侧壁或椭圆化侧壁、且曲率从下至上依次增大，框架与第二电极材料相同且一体形成。
14.根据权利要求13所述的谐振器制造方法，其中，调节光刻胶形貌，使得框架与第一或第二电极之间的夹角为15～60度。
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