[发明专利]一种射频功率放大器在审
| 申请号: | 201910851430.7 | 申请日: | 2019-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN110572132A | 公开(公告)日: | 2019-12-13 |
| 发明(设计)人: | 刘双军 | 申请(专利权)人: | 河北森骏电子科技有限公司 |
| 主分类号: | H03F3/24 | 分类号: | H03F3/24;H03F1/02 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 050090 河北省石家*** | 国省代码: | 河北;13 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射频功率放大器 电路 功率级电路 驱动级 共源共栅结构 两级电路结构 输入信号功率 工作效率 驱动功率 输出功率 通信距离 稳定运行 时长 研发 消耗 拓展 | ||
1.一种射频功率放大器,包括驱动级电路和功率级电路两级电路结构,其特征在于:
所述驱动级电路将输入信号功率提高到可以驱动功率级电路正常工作的程度;所述驱动级电路的输入匹配电路完成输入阻抗匹配,将前级电路的输出阻抗转换为功放的最优输入阻抗;输入匹配电路滤除前级电路中多余的高频分量;
所述功率级电路采用共源共栅结构;共源共栅结构中的共源管采用能够为电路提供高增益的薄栅N型金属-氧化物-半导体晶体管;共源共栅结构中的共栅管采用能够承担高分压和降低击穿风险的厚栅N型金属-氧化物-半导体晶体管;功率级电路中的漏极直流电感采用有限电感;漏极直流电感的寄生电阻设置为与漏极直流电感成正比;在功率级电路中对于电压变化时寄生电容充放电汲取额外电流导致射频功率放大器效率的下降的节点,在节点处添加与寄生电容并联谐振在基频的电感-电容串联电路,并利用电容并实现隔直,降低节点寄生电容的损耗。
2.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器,其特征在于:所述驱动级电路设置有用于为驱动级电路提供栅端直流偏置电压的电感和用于隔直的电容。
3.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器,其特征在于:所述驱动级电路设置有用于改善增益平坦度的RC反馈电路。
4.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器,其特征在于:所述功率级电路中采用1.5V、60nm的薄栅N型金属-氧化物-半导体晶体管。
5.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器,其特征在于:所述功率级电路中采用2.2V、260nm的厚栅N型金属-氧化物-半导体晶体管。
6.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器,其特征在于:所述功率级电路中栅极偏置电压设置为1.68V,漏极偏置电压设置为2.52V。
7.根据权利要求1所述的一种射频功率放大器,其特征在于:在所述功率级电路中通过提高输入与输出之间的隔离度以提高电路稳定性。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北森骏电子科技有限公司,未经河北森骏电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910851430.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





