[发明专利]一种InAlN/GaN HEMT的结温测试方法

权利要求书

1.一种晶格匹配InAlN/GaN异质结HEMT的结温测试方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤11，在恒定栅极电压条件下，测量源漏间变温I-V曲线；

步骤12，通过步骤11中的变温I-V曲线，求出不同温度下的线性区电阻R_on，并选取栅极下方的沟道电阻为温敏参数，记为R_g，得到R_g-T曲线；选择300K时，非栅极下方的沟道电阻为恒定电阻值，记为R₀；

步骤13，在HEMT在不同耗散功率条件下工作时，测量自加热稳态时的源漏间I-V曲线；

步骤14，通过步骤13中的源漏间I-V曲线，求出线性区电阻R_on随耗散功率变化的R_on-P_diss曲线；并取R_g＝R_on-R₀，作R_g-P_diss曲线；

步骤15，根据步骤12和步骤14中的R_g-T曲线和R_g-P_diss曲线对比得到T-P_diss曲线，即为结温随耗散功率变化的规律曲线。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤12中得到R_g-T曲线时，所述栅极下方的沟道电阻R_g的值为栅极长度占源漏间距的比值与线性区电阻R_on的乘积；所述得到R_g-T曲线，包括：

根据步骤11中的变温I-V曲线求出不同温度下的线性区电阻R_on后，计算不同温度下的栅极下方的沟道电阻R_g，进而得到R_g-T曲线。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述选择300K时，非栅极下方的沟道电阻为恒定电阻值，记为R₀，包括：

根据步骤12求出的不同温度下的线性区电阻R_on得出300K时线性区电阻R_on的值；

根据R_g-T曲线得出300K时栅极下方的沟道电阻R_g的值；

R₀的值即为300K时线性区电阻R_on与300K时栅极下方的沟道电阻R_g的差值。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤11中恒定栅极电压范围为0±3V。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤11中源漏间变温I-V曲线和步骤13中源漏间I-V曲线的电压扫描范围为0-1V。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤11中温度变化范围为300-500K。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤13中耗散功率范围为0-1000mW。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述步骤13中自加热稳态指HEMT在不同耗散功率条件下工作时间大于等于15min时对应的状态。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的晶格匹配InAlN/GaN异质结HEMT的栅极长度不超过源漏间距的1/2。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的晶格匹配InAlN/GaN异质结HEMT势垒层中In和Al组分分别为0.17和0.83。