[发明专利]一种碳化硅MOS场效应晶体管有效
| 申请号： | 201910850227.8 | 申请日： | 2019-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN110544718B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张有润;李坤林;王帅;钟炜;陈航;杨啸;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/16;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 mos 场效应 晶体管 | ||
1.一种碳化硅MOS场效应晶体管，包括漏极(15)、N+衬底(10)、N-漂移区(8)、第一P型基区(7)、第二P型基区(5)、第一N+源区(6)、第二N+源区(4)、JFET区(9)、第一栅介质(1)、第二栅介质(3)、第一栅电极(11)、第二栅电极(12)、第一源极(13)、第二源极(14)和肖特基电极(2)；
所述漏极(15)、所述N+衬底(10)和所述N-漂移区(8)从下至上依次层叠设置，所述第一P型基区(7)和所述第二P型基区(5)分别位于所述N-漂移区(8)上方的两端；所述第一N+源区(6)位于所述第一P型基区(7)的部分上层，所述第二N+源区(4)位于所述第二P型基区(5)的部分上层；所述第一源极(13)位于所述第一P型基区(7)上方的一端，第一栅介质(1)位于所述第一N+源区(6)上，所述第二源极(14)位于所述第二P型基区(5)上方的一端，第二栅介质(3)位于所述第二N+源区(4)上；所述第一栅介质(1)和所述第二栅介质(3)中分别具有第一栅电极(11)和第二栅电极(12)；
所述JFET区(9)位于所述第一P型基区(7)和所述第二P型基区(5)之间的所述N-漂移区(8)上；所述肖特基电极(2)位于所述JFET区(9)上；
其特征在于，所述第一P型基区(7)和第二P型基区(5)分别突入进JFET区0.3um；所述JFET区(9)还位于所述第一P型基区(7)和所述第二P型基区(5)上，且其侧面与栅介质接触。
2.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅电极(11)和所述第二栅电极(12)为多晶硅栅极。
3.根据权利要求1所述的一种碳化硅MOS场效应晶体管，其特征在于，所述第一栅介质(1)和所述第二栅介质(3)为SiO2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910850227.8/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
