[发明专利]半导体器件的扇出型晶圆级封装

权利要求书

1.一种扇出型晶圆级封装半导体器件，包括：

半导体管芯，所述半导体管芯具有：

有源表面；

背侧表面，所述背侧表面与所述有源表面相背对；

多个侧表面，所述多个侧表面中的每个侧表面在所述有源表面与所述背侧表面之间延伸；

多个导电凸块，所述多个导电凸块设置在所述有源表面上；和

绝缘层，所述绝缘层设置在所述有源表面的第一部分上，

所述有源表面的所述第一部分设置在所述多个导电凸块之间；

模塑料，所述模塑料包封所述背侧表面、所述多个侧表面以及所述有源表面的第二部分，所述有源表面的所述第二部分设置在所述多个导电凸块与所述有源表面的周边边缘之间；和

信号分配结构，所述信号分配结构设置在所述多个导电凸块上、设置在所述绝缘层上并且设置在所述模塑料上，所述信号分配结构被配置为提供到所述多个导电凸块的相应电连接件。

2.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装半导体器件，其中：

所述模塑料完全地包封所述背侧表面和所述多个侧表面；并且

所述绝缘层包含聚酰亚胺材料。

3.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装半导体器件，其中：

所述有源表面上的所述模塑料的厚度大于或等于5微米；并且

所述有源表面上的所述模塑料的在所述多个导电凸块与所述有源表面的所述周边边缘之间的宽度大于或等于5微米。

4.根据权利要求1所述的扇出型晶圆级封装半导体器件，其中所述多个导电凸块为第一多个导电凸块，所述信号分配结构包括：

第一介电层，所述第一介电层设置在所述绝缘层上、设置在所述第一多个导电凸块上并且设置在所述模塑料上，所述第一介电层具有平坦表面；

穿过所述第一介电层的多个通孔开口；和

到所述第一多个导电凸块的多个电连接件，所述多个电连接件中的每个电连接件设置在所述第一介电层的所述平坦表面上并且设置在所述多个通孔开口中的相应通孔开口中；

第二介电层，所述第二介电层设置在所述多个电连接件和所述第一介电层上；

穿过所述第二介电层的多个通孔开口；和

第二多个导电凸块，所述第二多个导电凸块设置在所述第二介电层中的所述多个通孔开口中的相应通孔开口中，并且设置在所述多个电连接件中的相应电连接件上。

5.一种生产扇出型晶圆级封装半导体器件的方法，所述方法包括：

将半导体晶圆分离成多个半导体管芯，所述多个半导体管芯中的半导体管芯包括：

有源表面；

背侧表面，所述背侧表面与所述有源表面相背对；

多个侧表面，所述多个侧表面中的每个侧表面在所述有源表面与所述背侧表面之间延伸；

多个导电凸块，所述多个导电凸块设置在所述有源表面上；和

绝缘层，所述绝缘层设置在所述有源表面的第一部分上，

所述有源表面的所述第一部分设置在所述多个导电凸块之间；

增大所述多个半导体管芯之间的间距；

在模塑料中包封所述半导体管芯的所述背侧表面、所述多个侧表面以及所述有源表面的第二部分，所述有源表面的所述第二部分设置在所述多个导电凸块与所述有源表面的周边边缘之间，所述模塑料还设置在所述多个半导体管芯之间；以及

形成信号分配结构，所述信号分配结构设置在所述多个导电凸块、所述绝缘层以及所述模塑料上，所述信号分配结构被配置为提供到所述多个导电凸块的相应电连接件。

6.根据权利要求5所述的方法，还包括：

在将所述半导体晶圆分离成所述多个半导体管芯之前，将所述半导体晶圆设置在第一载体上，

其中所述增大所述多个半导体管芯之间的间距包括：在将所述半导体晶圆切割成所述多个半导体管芯之后：

从所述第一载体上取下所述多个半导体管芯；以及

将所述多个半导体管芯以所增大的间距放置在第二载体上。