[发明专利]半导体装置

说明书

目的在于提供能够抑制多相转换器中的浪涌电压的影响的技术。半导体装置具备：寄生电感(L1、L2)，它们分别与功率晶体管(Q1、Q2)连接；以及驱动电路(DR)，其与连接点(S1、S2)连接，该连接点(S1、S2)分别将功率晶体管(Q1、Q2)和寄生电感(L1、L2)连接，该驱动电路(DR)对功率晶体管(Q1、Q2)进行驱动。驱动电路(DR)使功率晶体管(Q1、Q2)的连接点(S1、S2)处的基准电位相互绝缘。

技术领域

本发明涉及半导体装置、特别是多相转换器。

背景技术

以往，关于半导体装置提出有各种技术。例如在专利文献1中提出有能够抑制浪涌电压的逆变器。

专利文献1：日本特开2016－092988号公报

但是，在现有技术中，在多相转换器中不能抑制对一相的栅极施加其他相的浪涌电压这一情况，因此，担心产生误动作。

发明内容

因此，本发明是鉴于上述的问题而提出的，目的在于提供能够抑制多相转换器中的浪涌电压的影响的技术。

本发明涉及的半导体装置具备：多个半导体开关元件，它们构成多相转换器，分别与各相对应；多个寄生电感，它们分别与所述多个半导体开关元件连接；以及驱动电路，其与多个连接点连接，该多个连接点分别将所述多个半导体开关元件和所述多个寄生电感连接，该驱动电路对所述多个半导体开关元件进行驱动，所述驱动电路使所述多个连接点处的所述多个半导体开关元件的基准电位相互绝缘。

发明的效果

根据本发明，驱动电路使多个连接点处的多个半导体开关元件的基准电位相互绝缘，因此，能够抑制多相转换器中的浪涌电压的影响。

附图说明

图1是表示第1关联半导体装置的结构的电路图。

图2是表示第2关联半导体装置的结构的电路图。

图3是针对应用了实施方式1涉及的半导体装置的电路，示出该电路的一个例子的电路图。

图4是表示实施方式1涉及的半导体装置的结构的电路图。

图5是表示实施方式2涉及的半导体装置的结构的电路图。

图6是表示变形例涉及的半导体装置的结构的电路图。

标号的说明

Q1、Q2功率晶体管，L1、L2寄生电感，DR驱动电路，S1、S2连接点，12a、12b微变压器，16封装体。

具体实施方式

＜第1关联半导体装置以及第2关联半导体装置＞

首先，在说明本发明的实施方式1涉及的半导体装置之前，说明与其关联的第1半导体装置以及第2半导体装置(下面，记作“第1关联半导体装置以及第2关联半导体装置”)。

图1是表示第1关联半导体装置的结构的电路图。图1的第1关联半导体装置构成多相转换器。该第1关联半导体装置基于输入端子IN1、IN2的输入信号而对与商用电源连接的端子R、S的交流电压进行，由此生成期望的直流电压而从端子P、N输出。

图1的第1关联半导体装置具备驱动电路DR、多个半导体开关元件(功率晶体管Q1、Q2)、多个寄生电感(寄生电感L1、L2)、以及多个二极管(二极管D1、D2)。

功率晶体管Q1、Q2构成多相转换器的下桥臂，功率晶体管Q1、Q2分别与各相对应。功率晶体管Q1、Q2使用例如由Si(硅)构成的MOSFET。此外，功率晶体管的数量与多相转换器的相的数量相同，不限于2个，也可以是大于或等于3个。