[发明专利]波长变换部件制作用层叠体及波长变换部件的制作方法在审
| 申请号: | 201910847187.1 | 申请日: | 2019-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN110890454A | 公开(公告)日: | 2020-03-17 |
| 发明(设计)人: | 姜珉锡;李正圭;李承宰;林重奎 | 申请(专利权)人: | 大州电子材料株式会社 |
| 主分类号: | H01L33/50 | 分类号: | H01L33/50;H05K1/03 |
| 代理公司: | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人: | 薛琦;金明花 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 波长 变换 部件 制作 层叠 制作方法 | ||
1.一种波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,
包括:
波长变换部件形成用印刷电路基板,包含玻璃基质和在上述玻璃基质中分散的无机荧光体粉末;
限制层A用印刷电路基板,分别配置于上述印刷电路基板的两侧面,作为无机氧化物粉末,仅包含二氧化硅粉末;以及
限制层B用印刷电路基板,分别配置于与上述限制层A用印刷电路基板的上述波长变换部件形成用印刷电路基板之间的非接触面,
以玻璃粉末的总摩尔数为基准,上述玻璃基质包含0.1摩尔百分比至15摩尔百分比的P2O5、20摩尔百分比至50摩尔百分比的ZnO、8摩尔百分比至40摩尔百分比的SiO2及10摩尔百分比至30摩尔百分比的B2O3。
2.根据权利要求1所述的波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,以玻璃粉末总摩尔数为基准,上述玻璃基质还包含0.1摩尔百分比至20摩尔百分比的SnO2及0.1摩尔百分比至20摩尔百分比的Al2O3。
3.根据权利要求2所述的波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,以玻璃粉末的总摩尔数为基准,上述玻璃基质包含1摩尔百分比至30摩尔百分比的选自由BaO、SrO及CaO组成的组中的一种以上的碱土金属氧化物。
4.根据权利要求2或3所述的波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,以玻璃粉末的总摩尔数为基准,上述玻璃基质包含1摩尔百分比至30摩尔百分比的选自由Na2O、K2O及Li2O组成的组中的一种以上的碱金属氧化物。
5.根据权利要求1所述的波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,上述玻璃基质从具有1.4至1.7的折射率、软化点为400℃至700℃、平均粒径为0.1μm至20μm的玻璃粉末衍生。
6.根据权利要求1所述的波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,上述无机荧光体粉末包含选自由钇铝石榴石类、钌铝石榴石类、氮化物类、硫化物类及硅酸盐类物质组成的组中的一种以上的荧光体粉末。
7.根据权利要求1所述的波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,上述无机荧光体粉末的平均粒径为1μm至50μm。
8.根据权利要求1所述的波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,
上述限制层A用印刷电路基板的二氧化硅粉末的平均粒径为0.1μm至30μm,
上述限制层A用印刷电路基板的厚度为5μm至200μm。
9.根据权利要求1所述的波长变换部件制作用层叠体,其特征在于,
上述限制层B用印刷电路基板包含选自由氧化铝、二氧化硅、氧化镁及氧化锆组成的组中的一种以上的无机氧化物粉末,
上述无机氧化物粉末的平均粒径为0.1μm至30μm,
上述限制层B用印刷电路基板的厚度为5μm至200μm。
10.一种波长变换部件的制作方法,其特征在于,包括:
第一步骤,准备包含玻璃粉末和无机荧光体粉末的波长变换部件形成用印刷电路基板;
第二步骤,在上述波长变换部件形成用印刷电路基板的两侧面分别配置仅将二氧化硅粉末当作无机氧化物粉末来包含的限制层A用印刷电路基板;
第三步骤,分别在与上述限制层A用印刷电路基板的上述波长变换部件形成用印刷电路基板之间的非接触面配置并层叠限制层B用印刷电路基板来形成层叠体;
第四步骤,对上述层叠体进行烧成;以及
第五步骤,从所烧成的上述层叠体去除烧成的限制层A及限制层B。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大州电子材料株式会社,未经大州电子材料株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910847187.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电动化车辆接触器状态
- 下一篇:测量装置和测量方法





