[发明专利]电压变换电路及电源系统

权利要求书

1.一种电压变换电路，其特征在于，包括谐振电容变换单元、电压变换单元和n个电容单元；

所述n个电容单元包括第一电容单元、第二电容单元和第三电容单元；

所述谐振电容变换单元包括第一输出端、第二输出端和第三输出端，所述电压变换单元和所述第一电容单元分别连接在所述第一输出端和所述第二输出端之间；

所述第二电容单元连接在所述第二输出端和所述第三输出端之间；

所述电压变换单元包括第四输出端和第五输出端，所述第三电容单元连接在所述第四输出端和第五输出端之间；

其中，n为大于2的整数；

所述第一输出端用于输出正电压信号，所述第三输出端用于输出负电压信号，所述第二输出端用于输出所述正电压信号和所述负电压信号之间的电压信号；

所述第二输出端与所述第五输出端连接；

所述第四输出端与所述第三输出端用于连接负载，以为负载充电。

2.根据权利要求1所述的电压变换电路，其特征在于，所述谐振电容变换单元还包括第一输入端和第二输入端，

所述第一输入端与供电电路的正电压端连接，所述第二输入端与供电电路的负电压端连接，所述供电电路为所述电压变换电路提供电能。

3.根据权利要求1所述的电压变换电路，其特征在于，所述谐振电容变换单元包括第一开关、第二开关、第三开关、第四开关；其中，

所述第一开关和所述第二开关串联在所述第一输出端和所述第二输出端之间，所述第三开关和所述第四开关串联在所述第二输出端和所述第三输出端之间。

4.根据权利要求3所述的电压变换电路，其特征在于，所述谐振电容变换单元还包括谐振电容、谐振电感、第一结点、第二结点和第三结点；其中，

所述谐振电容串联在所述第一结点和所述第三结点之间；

所述谐振电感串联在所述第二结点和所述第二输出端之间；

所述第一结点为所述第一开关和所述第二开关之间的连接点，所述第二结点为所述第二开关和所述第三开关之间的连接点，所述第三结点为所述第三开关和所述第四开关之间的连接点。

5.根据权利要求3所述的电压变换电路，其特征在于，所述谐振电容变换单元还包括谐振电容、谐振电感、第一结点、第二结点和第三结点；其中，

所述谐振电容和所述谐振电感依次串联在所述第一结点和所述第三结点之间；

所述第二结点和所述第二输出端电连接；

所述第一结点为所述第一开关和所述第二开关之间的连接点，所述第二结点为所述第二开关和所述第三开关之间的连接点，所述第三结点为所述第三开关和所述第四开关之间的连接点。

6.根据权利要求1-5之一所述的电压变换电路，其特征在于，

所述第一电容单元包括至少一个第一电容；

所述第二电容单元包括至少一个第二电容。

7.根据权利要求1-5之一所述的电压变换电路，其特征在于，所述第三输出端和所述第四输出端为所述电压变换电路的输出端；

所述n个电容单元还包括第四电容单元，所述第四电容单元连接在所述第三输出端和所述第四输出端之间。

8.根据权利要求3所述的电压变换电路，其特征在于，所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关、所述第四开关中的任一开关包括以下之一：

绝缘栅型双极型晶体管IGBT，或者由多个绝缘栅型双极型晶体管IGBT并联或串联而成的开关电路；

金属氧化物半导体场效应晶体管Mosfet，或者由多个金属氧化物半导体场效应晶体管Mosfet并联或串联而成的开关电路；

由绝缘栅型双极型晶体管IGBT与二极管并联而成的开关电路，或者由金属氧化物半导体场效应晶体管Mosfet与二极管并联而成的开关电路。

9.根据权利要求1所述的电压变换电路，其特征在于，所述电压变换单元包括具有反馈功能以控制输出端电压的电压变换器。