[发明专利]半导体装置的制造方法

说明书

本发明的目的在于在半导体晶片的磨削加工中抑制破裂。在本发明的半导体装置的制造方法中，在半导体晶片(1)的形成了元件构造的第1主面(1A)形成弹性模量大于或等于2GPa的表面保护膜(8)，将半导体晶片(1)的第1主面(1A)侧载置于工作台，对半导体晶片(1)的与第1主面(1A)相反的面即第2主面(1B)进行磨削。

技术领域

本发明涉及半导体晶片的磨削。

背景技术

存储器或者微处理器等半导体装置通过三维安装等高密度地配置于封装件内。因此，谋求减薄半导体晶片的厚度。另外，就在工业用或者汽车用的电动机驱动所使用的逆变器电路或者不间断电源装置等搭载的IGBT、MOSFET或者二极管等功率用半导体装置而言，为了改善导通特性等通电性能，也进行半导体晶片的薄化加工。当前，半导体晶片的薄化已进展至几十μm。

半导体装置通过下面的流程制成。首先，在半导体晶片的表面形成包含电极和绝缘保护膜的元件构造部。之后，在半导体晶片的背面进行薄化加工、化学处理、热处理以及电极形成等。然后，将半导体晶片通过切割而单片化。

半导体晶片的薄化加工是通过机械磨削进行的。将半导体晶片的表面固定于磨削工作台，一边使磨石和磨削工作台旋转一边使磨石朝向半导体晶片而下降，对半导体晶片的背面进行磨削加工。通常，为了防止在磨削加工中元件构造部损伤或者由于磨削屑或者磨削水等污染，需要保护半导体晶片的表面。

在半导体晶片的表面存在元件构造部的凹凸。近年来，半导体晶片已减薄至几十μm左右，由此，表面的凹凸相对地变大。因此，存在磨削加工时因表面的凹凸而导致半导体晶片容易破裂的问题。为了抑制该半导体晶片的破裂，在专利文献1、2中提出了在向半导体晶片的表面粘贴保护板的基础上进行磨削加工的方法。专利文献1提出了使用具有厚的粘合层的保护板来缓和元件构造部的凹凸的方法。另外，专利文献2提出了使用设置了具有特定弹性模量的中间层的层叠板来缓和元件构造部的凹凸的方法。

专利文献1：日本特开2006－196710号公报

专利文献2：日本特开2001－203255号公报

为了追随于半导体晶片的表面的凹凸而缓和台阶，专利文献1的中间层或者专利文献2的粘合层需要使用弹性模量小、比较柔软的部件。因此，会有如下问题，即，由于磨削加工时的磨石的负载而导致保护板变形，在将晶片加工得薄时，晶片也变形，产生破裂。特别是，在对碳化硅衬底或者蓝宝石衬底等难磨削材料进行薄化加工时，对半导体晶片的负载变大，因此，会产生以下问题，即，在保护板施加大的负载而变形、旋转电动机负载的不稳定、磨石磨损率的增大、晶片破裂的产生等。

发明内容

本发明是为了解决上述问题而提出的，目的在于在半导体晶片的磨削加工中抑制破裂。

在本发明的半导体装置的制造方法中，在半导体晶片的形成了元件构造的第1主面形成弹性模量大于或等于2GPa的表面保护膜，将半导体晶片的第1主面侧载置于工作台，对半导体晶片的与第1主面相反的面即第2主面进行磨削。

发明的效果

根据本发明的半导体装置的制造方法，在半导体晶片的第1主面形成弹性模量大于或等于2GPa的表面保护膜，因此，抑制了在半导体晶片的磨削加工时由来自磨石的负载导致的表面保护膜的变形。因此，抑制了半导体晶片的破裂。

附图说明

图1是在半导体晶片的第1主面之上形成了表面保护膜的状态的剖面图。

图2是表示表面保护膜形成后的半导体晶片的端部的俯视图。

图3是表示对比例的半导体晶片的磨削加工的图。

图4是表示对比例的半导体晶片的磨削加工的图。

图5是表示实施方式1的半导体晶片的磨削加工的图。