[发明专利]光酸发生剂

权利要求书

1.一种光致抗蚀剂，所述光致抗蚀剂包括以式(I)所示的化合物、淬灭剂和包括光敏官能团的聚合物：

G⁺Z^- (I)

其中G⁺是

其中X是S或I，

当X是I时，R'是(i)孤电子对，或者，当X是S时，R'是(ii)单环或单键多环C_6-30芳基或C_7-20烷基-芳基；

且式(I)中的Z^-包括磺酸阴离子、磺酰亚胺或磺酰胺，

所述淬灭剂是非可光分解碱。

2.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂，其中在式(I)所示的化合物中，Z^-是C_1-30链烷基磺酸、C_3-30环烷基磺酸、C_1-30氟代链烷基磺酸、C_3-30氟代环烷基磺酸、C_6-30芳基磺酸、C_6-30氟代芳基磺酸、C_7-30烷芳基磺酸、C_7-30氟代烷芳基磺酸、C_1-30氟代链烷磺酰亚胺、C_2-30氟代环烷磺酰亚胺、C_6-30氟代芳基磺酰亚胺、C_7-30烷芳基磺酰亚胺、C_7-30氟代烷芳基磺酰亚胺或包括前述至少之一的组合。

3.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂，其中在式(I)所示的化合物中，Z^-是：

4.根据权利要求1所述的光致抗蚀剂，其中所述聚合物包括含有酸敏官能团的第一聚合单元和包括碱溶性官能团的第二聚合单元。

5.权利要求4的共聚物，其中所述第一聚合单元由下述分子式所示的化合物形成：

或包括前述至少之一的组合，其中R⁴是H、F、C_1-6烷基或C_1-6氟代烷基，所述第二聚合单元由下述分子式所示的碱溶性单体形成：

或包括前述至少之一的组合，其中R⁵是H、F、C_1-6烷基或C_1-6氟代烷基。

6.一种涂敷基底，所述基底包括：

(a)在其表面上具有待成像的一层或多层的基底；和

(b)在待成像的一层或多层上的权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物层。

7.一种形成电子设备的方法，所述方法包括：

(a)将权利要求1所述的光致抗蚀剂组合物层施加到基底上；

(b)使光致抗蚀剂组合物层于激发辐射中图案化曝光；和

(c)使曝光的光致抗蚀剂层显影以提供浮雕图像。