[发明专利]基板处理装置

说明书

本发明提供一种基板处理装置，该基板处理装置抑制附着于排气路径的沉积物。所述基板处理装置具备处理室、第一气体供给部、排气装置、第一排气管以及能量供给装置。处理室收容被处理基板。第一气体供给部通过向处理室内供给包含第一单体的气体和包含通过与第一单体发生聚合反应来形成聚合物的第二单体的气体，来在被处理基板形成聚合物的膜。排气装置对处理室内的气体进行排气。第一排气管将处理室与排气装置连接。能量供给装置向在第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从处理室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化。

技术领域

本公开的各种方面和实施方式涉及一种基板处理装置。

背景技术

已知一种向收容有被处理基板的处理容器内供给包含两种单体的气体，通过两种单体的聚合反应来在被处理基板形成有机膜的技术。例如，已知一种通过芳香族烷基、脂环状或脂肪族的二异氰酸酯单体与芳香族烷基、脂环状或脂肪族的二胺单体的真空蒸镀聚合反应来在被处理基板形成聚合膜的技术(例如参照专利文献1)。

另外，已知如下一种技术：在排气路径中配置被控制为使单体聚合的温度的捕集器，使用捕集器将排放气体中包含的未反应的单体以聚合物的方式捕获，由此从排放气体中去除单体(例如参照专利文献2)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2008/129925号

专利文献2：国际公开第2010/103953号

发明内容

发明要解决的问题

另外，供给至处理容器内的气体中包含的单体不全部参与反应，因此未参与反应的单体从处理容器内排出。但是，有时在排气的过程中发生单体间的聚合反应而在排气路径中形成有机膜(以下记载为沉积物)。当在设置在排气路径内的压力调整阀、排气泵等形成沉积物时，难以将处理容器内维持为规定的压力。

因此，考虑对整个排气路径进行加热，以使排气路径中不发生聚合反应。但是，对整个排气路径进行加热会招致由于加热构件的配置导致的装置的大型化、电力消耗的增大。另外，在使用配置于排气路径的捕集器将排放气体中包含的未反应的单体以聚合物的形式捕获的情况下，需要定期地去除在捕集器内生成的聚合物。因此，使排气机构定期地停止，成膜装置的停机时间变长。

用于解决问题的方案

本公开的一个方面是一种基板处理装置，具备处理室、第一气体供给部、排气装置、第一排气管以及能量供给装置。处理室收容被处理基板。第一气体供给部通过向处理室内供给包含第一单体的气体和包含通过与第一单体发生聚合反应来形成聚合物的第二单体的气体，由此在被处理基板形成聚合物的膜。排气装置对处理室内的气体进行排气。第一排气管将处理室与排气装置连接。能量供给装置向在第一排气管内流动的气体供给能量，由此使从处理室排出的气体中包含的第一单体和第二单体中的至少任一方的未反应成分低分子化。

发明的效果

根据本公开的各种方面和实施方式，能够抑制附着于排气路径的沉积物。

附图说明

图1是表示本公开的第一实施方式中的基板处理装置的一例的概要截面图。

图2是表示本公开的第二实施方式中的基板处理装置的一例的概要截面图。

图3是表示本公开的第三实施方式中的基板处理装置的一例的概要截面图。

图4是示出成膜处理时的各阀的状态的一例的图。