[发明专利]一种MEMS-IDT加速度传感器

权利要求书

1.一种MEMS-IDT加速度传感器，其特征在于，所述加速度传感器包括：硅基悬臂梁及制备于悬臂梁应力集中之处的声表面波敏感元件以及制备于硅基悬臂梁自由端的质量振子；其中

所述的硅基悬臂梁为单自由度梁，所述的硅基悬臂梁为采用深度刻蚀工艺制备的单自由度梁，

所述的声表面波敏感元件包括低阻抗温补层、压电基片和钝化层，其中，所述低阻抗温补层沉积在所述硅基悬臂梁上；所述压电基片沉积在所述低阻抗温补层上；所述压电基片的上表面设置有声表面波器件图形；

所述钝化层沉积于声表面波器件图形表面；

所述加速度传感器采用MEMS硅基悬臂梁与多层复合薄膜结构的温补型SAW相结合的方式制成；

所述声表面波器件图形沉积于所述压电基片的上表面，所述声表面波器件图形包括叉指换能器，或叉指换能器和短路栅反射器；

所述声表面波器件图形左侧端设有第一吸声胶，所述声表面波器件图形右侧端设有第二吸声胶；

所述叉指换能器采用双向结构，且至少包括两对第一叉指电极对；每一对所述第一叉指电极对均包括两个第一电极，所述第一电极的宽度为1/4λx，间距为1/4λx，电极膜厚为0.001λx-0.1λx，声孔径为80λx-250λx，所述短路栅反射器至少包括两个宽度为1/4λx，间距为1/4λx的第二电极，λx为沿声波传播方向的声波波长。

2.根据权利要求1所述的MEMS-IDT加速度传感器，其特征在于，所述低阻抗温补层材料包括二氧化硅或氮化硅。

3.根据权利要求1所述的MEMS-IDT加速度传感器，其特征在于，所述压电基片材料包括铌酸锂、钽酸锂、镓酸锂和锗酸锂中的一种或两种以上。

4.根据权利要求1所述的MEMS-IDT加速度传感器，其特征在于，所述钝化层包括二氧化硅、氮化硅和蓝宝石中的一种或两种以上。

5.根据权利要求1所述的MEMS-IDT加速度传感器，其特征在于，所述叉指换能器的电极材料包括用铝、铜和铂中的一种或两种以上。