[发明专利]一种用于晶体生长的坩埚底座装置在审

专利信息
申请号: 201910841934.0 申请日: 2019-09-06
公开(公告)号: CN110512276A 公开(公告)日: 2019-11-29
发明(设计)人: 陈强;邓先亮;赵言;王宗会 申请(专利权)人: 上海新昇半导体科技有限公司
主分类号: C30B15/10 分类号: C30B15/10;C30B29/06
代理公司: 11336 北京市磐华律师事务所 代理人: 高伟<国际申请>=<国际公布>=<进入国
地址: 201306 上海市*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 底座本体 坩埚 坩埚底座 晶体生长 上表面 传热 连接机构 使用寿命 保温性 热场 生产成本 消耗 配置
【权利要求书】:

1.一种用于晶体生长的坩埚底座装置,其特征在于,包括:

底座本体,所述底座本体的上表面的一部分与坩埚相接触;

连接机构,配置为将所述底座本体与所述坩埚固定连接。

2.如权利要求1所述的坩埚底座装置,其特征在于,所述底座本体包括基座和突出部分,所述突出部分的上表面与所述坩埚相接触。

3.如权利要求1所述的坩埚底座装置,其特征在于,所述突出部分包括一个或多个圆环形或多边形突出结构。

4.如权利要求1所述的坩埚底座装置,其特征在于,所述突出部分包括多个凸起的圆柱。

5.如权利要求1所述的坩埚底座装置,其特征在于,所述底座本体包括外部壳体部分和内部填充部分。

6.如权利要求5所述的坩埚底座装置,其特征在于,所述外部壳体部分的构成材料的导热系数低于所述坩埚的构成材料的导热系数,所述外部壳体部分的构成材料包括连续纤维复合材料,所述坩埚的构成材料包括石墨。

7.如权利要求5所述的坩埚底座装置,其特征在于,所述内部填充部分的构成材料的导热系数低于所述外部壳体部分的构成材料的导热系数,所述内部填充部分包括石墨硬毡和/或石墨软毡。

8.如权利要求2所述的坩埚底座装置,其特征在于,所述突出部分上设置有连接孔,所述连接机构包括与所述连接孔配合的螺栓。

9.如权利要求1所述的坩埚底座装置,其特征在于,所述连接机构的构成材料包括连续纤维复合材料或石墨。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新昇半导体科技有限公司,未经上海新昇半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910841934.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top