[发明专利]胶带加热方法在审
| 申请号: | 201910839599.0 | 申请日: | 2019-09-06 |
| 公开(公告)号: | CN110931414A | 公开(公告)日: | 2020-03-27 |
| 发明(设计)人: | M·J·塞登 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 胶带 加热 方法 | ||
1.一种增加胶带的粘附力的方法,所述方法包括:
将胶带安装到框架;
将衬底安装到所述胶带;
在安装所述衬底之后,在一个或多个温度下加热所述胶带达预定时间段;
通过加热所述胶带来增加所述胶带对所述衬底的粘附力。
2.根据权利要求1所述的方法,还包括:在安装之后至少部分地切单所述胶带上的所述衬底,以及在加热所述胶带之前将至少部分地切单的衬底翻转到第二胶带上。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述一个或多个温度在所述预定时间段期间是温度倾斜上升、温度倾斜下降或其任何组合中的一者。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述一个或多个温度在所述预定时间段期间是单一温度。
5.一种增加胶带的粘附力的方法,所述方法包括:
将半导体衬底安装到胶带;
在安装所述半导体衬底之后,在小于100℃的一个或多个温度下加热所述胶带达预定时间段;
通过加热所述胶带来增加所述胶带对所述半导体衬底的粘附力。
6.根据权利要求5所述的方法,还包括在安装之后至少部分地切单所述胶带上的所述衬底,以及在加热所述胶带之前将至少部分地切单的衬底翻转到第二胶带上。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述一个或多个温度在所述预定时间段期间是温度倾斜上升、温度倾斜下降或其任何组合中的一者。
8.根据权利要求5所述的方法,其中所述一个或多个温度在所述预定时间段期间是单一温度。
9.一种防止管芯从胶带损失的方法,所述方法包括:
将半导体衬底安装到胶带;
在安装所述半导体衬底之后,在一个或多个温度下加热所述胶带达预定时间段;
从所述半导体衬底至少部分地切单多个管芯;以及
通过加热所述胶带来增加所述多个管芯对所述胶带的粘附力,从而在随后的处理操作期间防止管芯与所述胶带分离。
10.根据权利要求9所述的方法,其中在加热所述胶带之前,发生至少部分地切单所述胶带上的所述衬底,并且所述方法还包括:在加热所述胶带之前将至少部分地切单的衬底翻转到第二胶带上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





