[发明专利]一种用于光模块中的光电二极管的位移对准装置、方法在审
申请号: | 201910838813.0 | 申请日: | 2019-09-05 |
公开(公告)号: | CN110534469A | 公开(公告)日: | 2019-12-03 |
发明(设计)人: | 侯杰;宋飞飞;周寒姻 | 申请(专利权)人: | 苏州苏驼通信科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/52;G02B6/42 |
代理公司: | 32333 南京中高专利代理有限公司 | 代理人: | 潘甦昊<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 215128 江苏省苏州市吴中区胥*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 负电极 正电极 吸附 操作连接部 光电二极管 真空吸附孔 对准装置 设置位置 光模块 供电装置 检测装置 驱动机构 一端连接 真空装置 匹配 | ||
1.一种位移对准装置,用于光模块中光电二极管的安装,其特征在于,该位移对准装置2包括操作连接部(21)和吸附部(22);
其中,所述操作连接部(21)和驱动机构连接;所述吸附部(22)和所述操作连接部(21)连接,所述吸附部(22)具有吸附端面(220),在所述吸附端面(220)上设置有第二正电极(23)、第二负电极(24)、真空吸附孔(26);
所述真空吸附孔(26)的另一端连接有真空装置;
所述第二正电极(23)、所述第二负电极(24)的设置位置和所述第一正电极(11)、所述第一负电极(12)的设置位置相匹配;
所述第二正电极(23)和所述第二负电极(24)连接有供电装置,所述第二正电极(23)和所述第二负电极(24)还连接有检测装置。
2.根据权利要求1所述的位移对准装置,其特征在于,所述吸附端面(220)上还设置有支撑块(25)。
3.根据权利要求2所述的位移对准装置,其特征在于,其中,所述支撑块(25)的凸起高度和所述第二正电极(23)、所述第二负电极(24)的凸起高度相同。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的位移对准装置,其特征在于,所述真空吸附孔(26)大致设置在所述吸附端面(220)的中央位置。
5.根据权利要求1-3中任一项所述的位移对准装置,其特征在于,所述真空装置是真空泵或风机。
6.一种位移对准方法,用于光模块中光电二极管的安装,其特征在于,包括以下步骤:S1:驱动机构带动如权利要求1-6任一项所述的位移对准装置(2)移动,使得吸附端面(220)和PD正面(10)对准;S2:第一正电极(11)和第二正电极(23)对准,第一负电极(12)和第二负电极(24)对准;S3:开启真空装置使得真空吸附孔(26)产生吸力将PD吸住,然后供电装置向相互接触的第一正电极(11)和第二正电极(23)、第一负电极(12)和第二负电极(24)提供反向偏压,并可以导出感应电流;S4:驱动机构带动位移对准装置(2)和PD移动,将PD移动至光模块的安装区域,使得PD背面的感光区域(13)和光发射组件对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造