[发明专利]具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器在审
| 申请号： | 201910833979.3 | 申请日： | 2019-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN110673068A | 公开（公告）日： | 2020-01-10 |
| 发明（设计）人： | 彭伟民;卞雷祥;黄子军;朱志伟;李辉;王明洋;戎晓力;贾云飞 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032;G01R33/00 |
| 代理公司： | 32203 南京理工大学专利中心 | 代理人： | 岑丹 |
| 地址： | 210094 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 永磁体 高Q值谐振器 磁致伸缩 磁传感器 振荡电路 谐振式 磁力线 振荡电路连接 磁路结构 单元设置 平行设置 谐振频率 谐振信号 灵敏度 电极 磁场源 微小型 漏磁 偏置 倍增 平行 输出 | ||
1.一种具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，包括高Q值谐振器、磁致伸缩单元、振荡电路以及永磁体，所述磁致伸缩单元设置在高Q值谐振器，所述永磁体平行与磁致伸缩单元平行设置，永磁体作为磁场源，磁力线由永磁体的N极发出，经由磁致伸缩单元回到永磁体的S极，所述高Q值谐振器任意一端的两个电极与振荡电路连接，所述振荡电路用于输出载有所述高Q值谐振器谐振频率的谐振信号。
2.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，所述高Q值谐振器与磁致伸缩单元之间设置有绝缘垫片，磁致伸缩单元产生的应力通过绝缘垫片的传递加载到所述高Q值谐振器上。
3.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，所述高Q值谐振器为石英谐振器。
4.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，所述永磁体的个数为2，对称设置于磁致伸缩单元两侧。
5.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，磁致伸缩单元的长度与高Q值谐振器的长度相等。
6.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，所述磁致伸缩单元两端设置高磁导率单元。
7.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，所述永磁体沿与磁致伸缩单元平行方向磁化。
8.根据权利要求1所述的具有微小型偏置磁路结构的谐振式磁传感器，其特征在于，所述磁致伸缩单元为磁致伸缩片。
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