[发明专利]电润湿装置

说明书

电润湿装置具有：第一基板；多个第一电极，其在第一基板上形成；电介质层，其在多个第一电极上形成；第一疏水层，其在电介质层上形成；第二基板；第二电极，其在第二基板上形成；以及第二疏水层，其在第二电极上形成，第一基板和第二基板在第一疏水层和第二疏水层之间设置间隙而配置，第一电极具有氧化铟·氧化锌层，电介质层具有氮化硅层，氮化硅层在氧化铟·氧化锌层上直接形成。

技术领域

本发明涉及一种电润湿装置。

背景技术

近年来，电润湿装置(也称为微小流体装置或者液滴装置)开发不断推进。所谓电润湿，是如果向在设置于电极上的疏水性的电介质层上配置的液滴施加电场，则液滴相对于电介质层的接触角变化的现象。通过利用电润湿，从而可以对例如亚微升这样微小的液滴进行操作。由于电润湿装置在英语中大多称为Electrowetting on Dielectric Devices(EWOD)，因此以下，为了简单有时称为“EWOD”。

为了实现将EWOD由包含薄膜晶体管(以下称为“TFT”)在内的薄膜电子电路(以下有时称为“TFT电路”)驱动的有源矩阵型EWOD(有时称为“AM-EWOD”)，针对可以以低电压进行驱动的EWOD的需求变高。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2017/078059号

发明内容

本发明所要解决的技术问题

向液滴施加的电压，依赖于在液滴与电极之间存在的电介质层的介电常数及厚度。即，为了使被有效地施加于液滴的电压变大，优选电介质层的介电常数大，厚度小。

但是，如果电介质层的厚度小，则会引起电介质层的耐压降低、即产生泄漏不良的问题。

根据本发明人的研究，例如如专利文献1所述，如果采用在由ITO(有时标记为氧化铟·氧化锡，或者In₂O₃·SnO₂)形成的电极上，作为电介质层而具有氮化硅(SiN)层的构造，则有时无法获得充分的耐压性。

本发明的目的在于，提供一种具有与当前相比耐压性优良的电介质层，且能够低电压驱动的电润湿装置。

解决问题的方案

根据本发明的实施方式，提供以下的项目所述的解决方法。

[项目1]

一种电润湿装置，其具有：

第一基板；多个第一电极，其在所述第一基板上形成；电介质层，其在所述多个第一电极上形成；第一疏水层，其在所述电介质层上形成；

第二基板；第二电极，其在所述第二基板上形成；第二疏水层，其在所述第二电极上形成，

所述第一基板和所述第二基板，在所述第一疏水层和所述第二疏水层之间设置间隙而配置，

所述第一电极具有氧化铟·氧化锌层，所述电介质层具有氮化硅层，所述氮化硅层在所述氧化铟·氧化锌层上直接形成。

[项目2]

项目1所述的电润湿装置，所述电介质层具有层叠构造，该层叠构造包含氢浓度彼此不同的2个以上的氮化硅层。

[项目3]

项目2所述的电润湿装置，所述电介质层具有与所述第一电极相接的第一氮化硅层、和在所述第一氮化硅层的所述第一疏水层侧形成的第二氮化硅层，所述第二氮化硅层的氢浓度低于所述第一氮化硅层的氢浓度。

[项目4]

项目3所述的电润湿装置，所述第二氮化硅层与所述第一疏水层相接。