[发明专利]晶片涂布制作工艺

说明书

本发明公开一种晶片涂布制作工艺。首先，放置一晶片于支撑柱上，且晶片与位于晶片下方的一加热盘之间具有一间距，使晶片能以一第一温度涂布。接着，判定一目标晶片制作工艺温度与第一温度的差异，以改变晶片的一涂布温度，其中当目标晶片制作工艺温度大于第一温度时，直接加热加热盘至目标晶片制作工艺温度；当目标晶片制作工艺温度小于第一温度但大于一最低涂布温度时，仅增加晶片与加热盘之间的间距，其中最低涂布温度为在没有冷却加热盘且晶片与加热盘之间具有一最大间距时的温度；当目标晶片制作工艺温度小于最低涂布温度时，增加晶片与加热盘之间的间距且冷却加热盘。

技术领域

本发明涉及一种晶片涂布制作工艺，且特别是涉及一种增加晶片与加热盘之间的间距的晶片涂布制作工艺。

背景技术

现有的晶片涂布显影机于生产晶片产品时，会于某些制作工艺中需要有能对晶片产品进行预定温度热烤的平台，此平台一般被称之为热板。然而，不同的晶片产品，所需热烤的温度不同，如原本晶片产品所需热烤的温度为摄氏110度时，其热板便会被加热至例如摄氏110度，但当下一晶片产品所需热烤的温度为摄氏90度时，其热板便必须进行降温。以目前热板的降温方式而言，都采用自然降温，即利用长时间的时间消耗(等待)来换取热板温度的下降，直至热板的温度下降至下一种晶片产品所需热烤的温度时，才能继续地生产晶片产品。但上述的自然降温方式，其降温的时间相当的冗长，使得于等待降温的期间中，生产的效率几近为零，而有晶片产品产出效率不张的问题。

另外，由于热板于降温时，晶片产品可能会直接放置于热板上进行等待，因此晶片产品有可能会因过长时间的热烤而造成有过烤(OverBake)的情形发生，导致过烤的晶片产品便必须报废，而使得晶片产品的产出良率有无法提升的问题。

发明内容

本发明提出一种晶片涂布制作工艺，其以增加晶片与加热盘之间的间距降低晶片涂布温度，如此可减少降温时间并增加生产效率及良率。

本发明提供一种晶片涂布制作工艺，包含下述步骤。首先，放置一晶片于支撑柱上，且晶片与位于晶片下方的一加热盘之间具有一间距，使晶片能以一第一温度涂布。接着，判定一目标晶片制作工艺温度与第一温度的差异，以改变晶片的一涂布温度，其中当目标晶片制作工艺温度大于第一温度时，直接加热加热盘至目标晶片制作工艺温度；当目标晶片制作工艺温度小于第一温度但大于一最低涂布温度时，仅增加晶片与加热盘之间的间距，其中最低涂布温度为在没有冷却加热盘且晶片与加热盘之间具有一最大间距时的温度；当目标晶片制作工艺温度小于最低涂布温度时，增加晶片与加热盘之间的间距且冷却加热盘。

基于上述，本发明提出一种晶片涂布制作工艺，其放置一晶片于支撑柱上，且晶片与位于晶片下方的一加热盘之间具有一间距，使晶片能以一第一温度涂布；以及判定一目标晶片制作工艺温度与第一温度的差异，以改变晶片的一涂布温度，其中当目标晶片制作工艺温度大于第一温度时，直接加热加热盘至目标晶片制作工艺温度；当目标晶片制作工艺温度小于第一温度但大于一最低涂布温度时，仅增加晶片与加热盘之间的间距，其中最低涂布温度为在没有冷却加热盘且晶片与加热盘之间具有一最大间距时的温度；当目标晶片制作工艺温度小于最低涂布温度时，增加晶片与加热盘之间的间距且冷却加热盘。如此一来，本发明可通过增加晶片与加热盘之间的间距降低温度，而完全取代或者部分取代以冷却加热盘降温的功能，因而本发明可减少降温时间并增加生产效率及良率。

附图说明

图1为本发明一实施例的晶片涂布制作工艺的流程图；

图2为本发明一实施例的晶片涂布装置的剖面示意图；

图3为本发明一实施例的涂布温度对于晶片与加热盘之间的间距的关系图；

图4为本发明一实施例的涂布温度对于晶片与加热盘之间的间距的关系图。

主要元件符号说明

10：晶片

100：晶片涂布装置