[发明专利]多光子纠缠光源在审
申请号: | 201910830814.0 | 申请日: | 2019-09-04 |
公开(公告)号: | CN110518446A | 公开(公告)日: | 2019-11-29 |
发明(设计)人: | 匡一中;匡宇 | 申请(专利权)人: | 匡一中;匡宇 |
主分类号: | H01S3/08 | 分类号: | H01S3/08;H01S3/14;H01S3/00;H01S5/10;H01S5/30 |
代理公司: | 11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) | 代理人: | 刘亚飞<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 610041 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光子 光学谐振腔 激光 激光输出端 纠缠态 激光器 全反射 工作物质 光源 宏观尺度 量子计算 量子通信 平行平面 受激辐射 驻波腔 出射 可用 入射 量子 申请 探测 放大 输出 传播 应用 | ||
1.一种多光子纠缠光源,包括激光器,所述激光器的工作物质为具有宇称的物质,所述激光器包括光学谐振腔,所述光学谐振腔为平行平面驻波腔,所述光学谐振腔包括激光输出端及与所述激光输出端相对的全反射端,所述工作物质在所述光学谐振腔内受激辐射产生两光子纠缠激光,所述两光子纠缠激光在所述光学谐振腔内来回传播放大产生宏观尺度的多光子纠缠激光,所述全反射端对入射到其上的多光子纠缠激光进行全反射,以使宏观尺度的单一纠缠态的多光子纠缠激光自所述激光输出端出射。
2.根据权利要求1所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述激光器为气体激光器、固体激光器或半导体激光器。
3.根据权利要求2所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述气体激光器为氦氖激光器,氩离子激光器,二氧化碳激光器或者氮分子激光器。
4.根据权利要求1所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述全反射端包括第一端镜,所述第一端镜为全反射镜。
5.根据权利要求4所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述激光输出端包括第二端镜,所述单一纠缠态的多光子纠缠激光自所述第二端镜出射。
6.根据权利要求1所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述工作物质为原子,离子,有对称中心的分子或有反演对称性的晶体。
7.根据权利要求1所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述多光子纠缠光源还包括调整组件,所述调整组件设置在所述激光输出端远离所述全反射端的一侧,且位于所述激光器的出光光路上,所述调整组件用于将所述激光的光束面积调整至小于其相干面积。
8.根据权利要求7所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述调整组件包括沿所述激光出射方向设置的第一透镜、第二透镜、孔径光阑以及干涉滤光片,所述第一透镜具有第一焦距值,所述第二透镜具有第二焦距值,且所述第一焦距值小于所述第二焦距值,所述第一透镜与所述激光器中心之间的间距为第二焦距值;所述第一透镜与所述第二透镜之间的间距为第一焦距值与第二焦距值的和;所述孔径光阑与所述第二透镜之间的间距为第二焦距值。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述单一纠缠态为偏振态纠缠态。
10.根据权利要求7所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述多光子纠缠光源还包括半透半反镜,所述半透半反镜设置在所述激光器的出光光路上,且位于所述调整组件远离所述激光器的一侧。
11.根据权利要求10所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述多光子纠缠光源还包括偏振片,所述偏振片设置在所述激光器的出光光路上,且位于所述调整组件与所述半透半反镜之间。
12.根据权利要求11所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述单一纠缠态为平移态纠缠态。
13.根据权利要求1所述的多光子纠缠光源,其特征在于,所述多光子纠缠光源还包括电磁屏蔽罩,所述电磁屏蔽罩罩设在所述激光器外侧。
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