[发明专利]存储器、反熔丝器件及其制造方法

说明书

本发明公开一种存储器、反熔丝器件及其制造方法。该反熔丝器件包括：反熔丝电极，由金属材料制成；第一掺杂区，设置于所述基底内；反熔丝层，夹设于所述反熔丝电极与所述第一掺杂区之间；第二掺杂区，设置于所述基底内且紧邻于所述第一掺杂区；其中，所述第一掺杂区、所述反熔丝电极和所述第二掺杂区均为P型掺杂或均为N型掺杂，所述反熔丝层具有绝缘性，所述绝缘层的介电常数大于二氧化硅的介电常数。这种反熔丝器件的击穿电压低、更容易被击穿，在反熔丝层被击穿后由于其击穿区域变大，反熔丝层被击穿后击穿效果更明显。

技术领域

本发明总体来说涉及一种半导体技术，具体而言，涉及一种存储器、反 熔丝器件及其制造方法。

背景技术

反熔丝存储器是一种支持一次编程的非易失性存储器，能应用于 DRAM(动态随机存取存储器)存储器中作为DRAM存储器的冗余单元来存储 缺陷地址。在未编辑状态下，反熔丝存储器中的反熔丝层呈现高阻抗状态。 在存储缺陷地址的过程中对反熔丝存储器进行编辑，以击穿反熔丝存储器中 的反熔丝层。反熔丝存储器中的反熔丝层被击穿后呈现低阻状态，从而能记 录下该缺陷地址的信息。

然而，采用现有的反熔丝层被击穿的区域集中于反熔丝层的边缘，反熔 丝层被击穿的区域小，导致其击穿效果不灵敏。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理 解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式 部分中进一步详细说明。本发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保 护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护 的技术方案的保护范围。

本发明的一个主要目的在于克服上述现有技术的至少一种缺陷，提供一 种反熔丝器件，设置于一基底上，所述反熔丝器件包括：

反熔丝电极，由金属材料制成；

第一掺杂区，设置于所述基底内；

反熔丝层，夹设于所述反熔丝电极与所述第一掺杂区之间；

第二掺杂区，设置于所述基底内且紧邻于所述第一掺杂区；

其中，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均为P型掺杂或均为N型掺杂， 所述反熔丝层具有绝缘性，所述绝缘层的介电常数大于二氧化硅的介电常 数。

根据本发明的一个实施例，第一掺杂区与反熔丝层的接触面积大于反熔 丝层面积的50％。

根据本发明的一个实施例，反熔丝器件还包括设置在所述基底中的浅槽 隔离区，所述浅槽隔离区设置在第一掺杂区背离第二掺杂区的一侧。

根据本发明的一个实施例，所述浅槽隔离区的厚度大于所述第一掺杂区 的厚度。

根据本发明的一个实施例，所述浅槽隔离区延伸到所述反熔丝层的底 部。

根据本发明的一个实施例，反熔丝器件还包括设置在所述基底内的阱 区，所述阱区包围在第一掺杂区、第二掺杂区和浅槽隔离区的周围；

当所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均为N型掺杂时，阱区为P型阱区； 所述第一掺杂区和所述第二掺杂区均为P型掺杂时，阱区为N型阱区。

根据本发明的一个实施例，所述绝缘层材料为氧化铪。

根据本发明的一个实施例，所述金属材料为钨、铝或铜。

根据本发明的一个实施例，所述金属材料为钨。

根据本发明的一个实施例，所述第一掺杂区的掺杂深度小于所述第二掺 杂区的掺杂深度的二分之一。