[发明专利]存储器装置及其更新方法

说明书

本发明提供一种存储器装置及其更新方法。存储器装置包括存储单元阵列与控制器。存储单元阵列具有多个正常区域以及相邻于多个正常区域的冗余区域。冗余区域具有多个冗余字线。在正常区域与冗余区域的边界处配置多个边界字线。控制器依序更新多个冗余字线，并在依序更新多个冗余字线后依序更新多个边界字线。

技术领域

本发明涉及一种存储器装置及其更新方法，尤其涉及一种更新冗余区域字线的存储器装置及其更新方法。

背景技术

当动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)中存在被重复启用多次的特定字线(又称加害者字线)时，与加害者字线相邻的字线(又称受害者字线)上的存储单元将可能因为串音干扰(cross talk)或耦合效应而遗失所存储的数据，此种干扰现象称为列干扰(Row Hammer)现象。

现有技术通过额外地更新(refresh)受害者字线以避免列干扰现象。即，使受害者字线具有较高的更新频率。然而，在一些具高存储单元密度的DRAM结构中，受害者字线的地址计算较为复杂，因此需要较大面积的更新地址计算器(又称为列干扰地址计算器)来计算受害者字线的地址。

发明内容

本发明提供一种存储器装置及其更新方法，可以不需要计算冗余区域中因列干扰而需要更新的字线地址，从而减少更新地址计算器的面积。

本发明的实施例提供一种存储器装置，存储器装置包括存储单元阵列与控制器。存储单元阵列具有多个正常区域以及相邻于多个正常区域的冗余区域。冗余区域具有多个冗余字线，且在多个正常区域与冗余区域的边界处配置多个边界字线。控制器依序更新多个冗余字线，并在依序更新多个冗余字线后依序更新多个边界字线。

本发明的实施例提供一种更新方法，适用于存储器装置。存储器装置包括存储单元阵列与控制器，存储单元阵列具有多个正常区域以及相邻于多个正常区域的冗余区域。冗余区域具有多个冗余字线，且在正常区域与冗余区域的边界处配置多个边界字线。更新方法包含但不限于依序更新多个冗余字线，并在依序更新多个冗余字线后，依序更新多个边界字线。

基于上述，在本发明一些实施例中，控制器依序更新存储单元阵列中的冗余字线以及边界字线，由于不需要计算冗余区域中受到列干扰而需要更新的字线地址，因此可减少更新地址计算器的面积。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。

附图说明

图1是依据本发明一实施例所示出的存储器装置的示意图；

图2是依据本发明一实施例所示出的存储单元阵列中字线的布局示意图；

图3是依据本发明另一实施例所示出的冗余区域更新地址控制电路的示意图；

图4是依据本发明一实施例所示出的控制器的操作时序图；

图5是依据本发明一实施例所示出的更新方法的流程图。

附图标记说明

100：存储器装置

110：控制器

120：存储单元阵列

130：更新地址计算器

140：正常区域更新地址控制电路

150：冗余区域更新地址控制电路

170：更新地址多路复用器

180：列地址多路复用器

190：列地址解码器

210：正常区域

220：冗余区域