[发明专利]MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910826305.0 | 申请日： | 2019-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN110531540A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王善朋;陶绪堂;乔杰;王子明 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | G02F1/00 | 分类号： | G02F1/00 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 颜洪岭<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 石英管 调制 太赫兹调制器 复合结构 硅片表面 调制器 分散液 单晶 放入 体块 加热炉 泵浦激光功率 表面抛光 化合反应 宽带调制 取上清液 制作工艺 离心管 灵敏度 上清液 硅片 烘干 超声 称取 封管 挥发 全光 旋涂 装入 清洗 取出 覆盖 | ||
1.一种MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器，其特征是，包括半导体Si衬底以及Si衬底表面覆盖的MoTe2层。
2.根据权利要求1所述的MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器，其特征是，所述MoTe2层位于半导体Si衬底的上表面。
3.根据权利要求1或2所述的MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器，其特征是，所述MoTe2层由2H相MoTe2纳米片均匀分散堆叠形成。
4.一种权利要求1所述MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器的制备方法，其特征是，包括以下步骤：
(1)按照摩尔比Te:Mo＝10～15:1的比例称取Te和Mo，装入石英管中混匀，抽真空后烧结封管；
(2)将石英管放入加热炉中，阶段性升温，使得Mo和Te充分化合反应；
(3)反应完毕后，当炉体温度降至500～550℃时，取出石英管并离心，使生长得到的MoTe2单晶与多余的Te助熔剂分离，得到MoTe2体块单晶；
(4)将MoTe2体块单晶放入盛有NMP的离心管中进行超声，得到MoTe2分散液；
(5)对获得的分散液进行离心，取上清液；
(6)将MoTe2上清液旋涂在清洗后的硅片表面，烘干，使NMP溶液完全挥发，得到MoTe2和Si复合结构的太赫兹调制器。
5.根据权利要求2所述的MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器的制备方法，其特征是，所述步骤(1)中抽真空的真空度为3～5×10-4Pa。
6.根据权利要求2所述的MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器的制备方法，其特征是，所述步骤(2)中的阶段性升温，首先5～10小时升温至400～600℃，恒温20～25小时；然后10～15小时升温至850～880℃，恒温20～25小时。
7.根据权利要求2所述的MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器的制备方法，其特征是，所述步骤(3)中炉体以0.2～2℃/小时的速率降温。
8.根据权利要求2所述的MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器的制备方法，其特征是，所述步骤(5)中离心的转速为2000～5000转/分，时间为10～20分钟。
9.根据权利要求2所述的MoTe2和Si复合结构全光太赫兹调制器的制备方法，其特征是，所述步骤(6)中烘干温度为80～100℃。
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