[发明专利]内衬结构、反应腔室和半导体加工设备在审
申请号: | 201910826132.2 | 申请日: | 2019-09-03 |
公开(公告)号: | CN110473814A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 茅兴飞;王伟;楼丰瑞;石锗元;廉串海;吕增富 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒<国际申请>=<国际公布> |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 内衬 上环部 内门 半导体加工设备 开口 反应腔室 下环 被加工工件 阶梯结构 内衬内壁 腔体内壁 均匀性 可升降 气流场 刮擦 环部 下端 延伸 保证 | ||
1.一种内衬结构,其特征在于,包括:
内衬主体,包括构成阶梯结构的上环部和下环部,且所述下环部的外径小于所述上环部的内径;并且,在所述上环部上设置有用于供被加工工件出入的内衬开口,所述内衬开口延伸至所述上环部的下端;
内门,设置在所述上环部的下方,且所述内门的内径与所述上环部的内径相同,并且所述内门是可升降的,以能够开启或关闭所述内衬开口。
2.根据权利要求1所述的内衬结构,其特征在于,所述内衬开口与所述内门彼此相对的两个表面构成能够阻挡等离子体通过的迷宫式间隙。
3.根据权利要求2所述的内衬结构,其特征在于,在所述内衬开口的与所述内门相对的表面上设置有凸部,所述凸部的内径大于所述内门的外径。
4.根据权利要求2所述的内衬结构,其特征在于,分别在所述内衬开口与所述内门彼此相对的两个表面上分别设置有凸部和凹部;所述凹部为一个或多个,且多个所述凹部沿所述上环部的径向间隔设置;所述凸部的数量与所述凹部的数量相同,且在所述内门处于关闭所述内衬开口的位置处时,各个所述凸部一一对应地设置在各个所述凹部中。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的内衬结构,其特征在于,所述内衬结构还包括用于驱动所述内门升降的升降机构,所述升降机构固定在下电极机构上。
6.根据权利要求5所述的内衬结构,其特征在于,所述升降机构包括:
壳体,用于与所述下电极机构固定连接;
直线驱动源,设置在所述壳体内,用于提供直线动力;
连杆组件,分别与所述内门和所述直线驱动源连接;
导向件,用于限定所述连杆组件沿竖直方向移动。
7.根据权利要求6所述的内衬结构,其特征在于,所述连杆组件包括连接件和两个连杆,沿所述下电极机构的周向分别位于所述壳体的两侧,两个所述连杆的上端均与所述内门连接,两个所述连杆的下端均通过所述连接件与所述直线驱动源连接;
所述导向件包括两个导向座,两个所述导向座设置在所述壳体的外壁上,且在每个所述导向座上竖直设置有导向孔;两个所述连杆分别穿过两个所述导向座上的所述导向孔。
8.根据权利要求7所述的内衬结构,其特征在于,在所述壳体的底部设置有贯穿其厚度的通孔;所述直线驱动源的驱动轴的下端经由所述通孔延伸至所述壳体的外部,并与所述连接件连接;
所述升降机构还包括动密封结构,用于对所述通孔与所述驱动轴之间的间隙进行密封。
9.根据权利要求8所述的内衬结构,其特征在于,所述动密封结构包括波纹管,所述波纹管位于所述壳体内,且套设在所述驱动轴上,并且所述波纹管的下端与所述壳体的底部密封连接,所述波纹管的上端通过法兰与所述驱动轴密封连接。
10.根据权利要求6所述的内衬结构,其特征在于,所述导向件采用抗腐蚀材料制作;或者,在所述导向件的外表面设置有抗腐蚀层。
11.根据权利要求1所述的内衬结构,其特征在于,所述内衬主体还包括盘状匀流部,所述盘状匀流部的外周缘与所述下环部的下端连接,且在所述盘状匀流部中设置有栅孔部。
12.一种反应腔室,包括腔体、设置在所述腔体内的下电极机构和环绕设置在所述腔体内侧的内衬结构,其特征在于,所述内衬结构采用权利要求1-11任意一项所述的内衬结构;
在所述腔体上设置有腔体开口,所述腔体开口与所述内衬开口相对。
13.一种半导体加工设备,包括反应腔室,其特征在于,所述反应腔室采用权利要求12所述的反应腔室。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造