[发明专利]存储器装置

权利要求书

1.一种存储器装置，具备：第1配线；第2配线；存储单元，电连接在所述第1配线与所述第2配线之间，且包含可变电阻元件；及写入电路，包含电流源电路与电压源电路，且使用写入脉冲对所述存储单元写入数据；且所述写入电路在从所述写入脉冲的供给开始的第1时刻起到第2时刻为止的第1期间，使用所述电流源电路将所述写入脉冲供给到所述存储单元，在从第3时刻起到所述写入电流的供给停止的第4时刻为止的第2期间，使用所述电压源电路将所述写入脉冲供给到所述存储单元。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述写入电路包含：第1晶体管，电连接在电流源与第1节点之间；第2晶体管，电连接在所述第1节点与所述存储单元之间；第3晶体管，电连接在所述第1节点与第2节点之间；第1电容元件，电连接在所述第2节点；第4晶体管，电连接在所述第1节点与第3节点之间；放大器，具有电连接在所述第2节点的第1输入端子、连接在所述第3节点的第2输入端子、及输出端子；第5晶体管，具有电连接在所述输出端子的栅极及电连接在所述第3节点的电流路径的一端；以及电阻元件，电连接在所述第3节点。

3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中在所述第1期间，所述电流源经由接通状态的所述第1晶体管电连接在所述第1节点，基于所述电流源的输出电流的所述写入脉冲经由接通状态的所述第1及第2晶体管供给到所述存储单元，所述第1电容元件经由接通状态的所述第3晶体管电连接在所述第1节点，在将所述第3晶体管设定为断开状态后，所述放大器将基于所述第2节点与所述第1节点的电位差的第1信号从所述输出端子输出到所述第5晶体管的栅极，基于所述第5晶体管的输出电流的所述写入脉冲经由所述第4晶体管被供给到所述存储单元。

4.根据权利要求3所述的存储器装置，其还具备：第6晶体管，电连接在所述第2节点与第4节点之间；第7晶体管，电连接在所述第4节点与电压端子之间；及第2电容元件，电连接在所述第4节点；在所述第1期间，所述第2电容元件通过断开状态的所述第6晶体管而从所述第2节点电分离，经由接通状态的所述第7晶体管而由所述电压端子进行充电，在所述放大器输出所述第1信号之前，所述第2电容元件经由接通状态的所述第6晶体管电连接在所述第1电容元件。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的存储器装置，其中所述第3时刻与所述第2时刻一致。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器装置，其中所述第3时刻为所述第1时刻与所述第2时刻之间的时刻。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的存储器装置，其中所述第3时刻为所述第2时刻之后的时刻。

8.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述写入脉冲在所述第1期间沿将所述可变电阻元件的电阻状态从高电阻状态变更为低电阻状态的方向流动在所述可变电阻元件内，在所述第2期间沿将所述可变电阻元件的电阻状态从低电阻状态变更为高电阻状态的方向流动。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的存储器装置，其中所述可变电阻元件为磁阻效应元件，所述写入脉冲将所述磁阻效应元件的电阻状态从低电阻状态变更为高电阻状态。