[发明专利]用于测试磁性器件的设备和系统有效
申请号: | 201910823610.4 | 申请日: | 2019-09-02 |
公开(公告)号: | CN110879345B | 公开(公告)日: | 2022-06-07 |
发明(设计)人: | O·迪布吕勒;M·德莱瓦克;P·莱托西 | 申请(专利权)人: | 迈来芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 黄嵩泉;张鑫 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 测试 磁性 器件 设备 系统 | ||
本发明涉及用于测试磁性器件的设备和系统。一种用于在腔(q1)内生成可配置的3D磁场向量的线圈布置(1000),包括:形成腔并具有第一轴(Z)的螺线管(Cz),具有第二共同轴(X)的第一对线圈(Cx1、Cx2)和具有第三共同轴(Y)的第二对线圈(Cy1、Cy2),所述三个轴在要被测试的芯片所位于的点处相交。一种测试布置(1210),进一步包括用于保持液体的容器,并且该容器具有至少一个开口,用于提供通向该至少一个腔的通路。一种测试系统(1360),进一步包括具有多个电流源的电单元,以及用于放置和保持要被测试的芯片的机械定位机构。
发明领域
本发明总体上涉及用于生成3D磁场的设备和系统的领域,更具体地涉及用于在生产环境中测试封装集成电路的设备和系统。
图1示出了包括一个或多个磁传感器元件(例如水平霍尔元件或垂直霍尔元件或巨磁电阻器(GMR)等)的集成电路的示例。此类设备可以例如用于汽车应用中的线性位置或角位置感测。用于汽车应用的集成电路通常被设计成在约-40℃至约+160℃的宽温度范围内运行。为了获得良好的工作设备,在半导体工业中通常在生产的各个阶段执行不同的测试,例如在切割之前在晶片级执行一些测试,而在切割和封装之后执行其他测试。
本发明涉及用于在功能上测试封装IC的方法和系统,例如包括一个或多个磁传感器元件的CMOS器件,例如封装在TSSOP16封装(5.0mm×6.4mm×1.0mm)中。为了充分测试此类器件,各个磁场向量将由装备生成并由器件在不同温度下以高精度测量。而且,在生产环境中,高测试覆盖率、高吞吐量、低维护成本、低停机时间等也是非常重要的。
US20120229129A1描述了一种具有磁测量能力的探测台,用于通过利用与晶片表面接触的探针在切割之前测试晶片。然而,如上所述,此类装备不能用于测试封装器件。
发明内容
本发明的实施例的目的是提供一种线圈布置,该线圈布置可用于向一个或多个封装半导体器件提供任何定向的3D磁场。
本发明的实施例的目的还在于提供一种测试布置,该测试布置包括此类线圈布置,该线圈布置被配置成用于向封装半导体器件(例如,就磁场和/或温度而言)创建各种环境条件。
本发明的实施例的目的还在于提供一种测试系统,包括此类线圈布置或此类测试布置,并且进一步包括适用于向线圈提供合适电流的电单元。
本发明的实施例的特定目的是提供一种紧凑的线圈布置,该线圈布置被配置成用于生成在任何3D取向上至少1mTesla的磁场,或者在任何3D取向上至少2mTesla的磁场,或者在任何3D取向上至少5mT的磁场、或者在任何3D取向上至少10mT的磁场、或者在任何3D取向上至少15mT的磁场、或者在任何3D取向上至少20mT的磁场、或者在任何3D取向上至少25mTesla的磁场、或者在任何3D取向上至少30mTesla的磁场,优选地,没有显著的滞后量。
本发明的实施例的特定目的是提供一种测试布置,该测试布置被配置成用于允许在多个预定义温度下测试封装器件。
本发明的实施例的特定目的是提供一种线圈布置和测试布置以及测试系统,被配置成用于在2个或4个位置处同时生成2个或4个可配置的磁场向量,以用于同时测试2个或4个封装器件。
本发明的特定实施例的目的是提供一种测试系统,该测试系统被配置成用于在一个或多个测试位置处提供具有可配置场向量的磁场,每个测试位置适用于接收要被测试的封装半导体器件,该磁场在所述一个或多个测试位置处具有改善的均匀性。
本发明的特定实施例的目的是提供一种测试系统,该测试系统被配置成用于在一个或多个测试位置处提供具有可配置场向量的磁场,每个测试位置适用于接收要被测试的封装半导体器件,其中磁场具有最佳均匀性的确切位置是可配置的,例如取决于要被测试的封装器件的特定封装。
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