[发明专利]SLMs阵列拼接方法、拼接件及其拼接架

权利要求书

1.一种SLMs阵列拼接方法，其特征在于，包括：

S1：按照预先设定的基准位置安装第一显示芯片组，光线直接照明第一显示芯片组的有效显示面；

S2：光线经第一反射单元反射至第二显示芯片组的有效显示面，光线经第二反射单元反射至第三显示芯片组的有效显示面；

S3：第二显示芯片组和第三显示芯片组的有效显示面镜像与第一显示芯片组的有效显示面在同一个平面内，第二显示芯片组和第三显示芯片组的有效显示面边缘的镜像与第一显示芯片组的有效显示面的对应边缘无缝连接，各个元件的边缘对入射光未有遮挡。

2.如权利要求1所述的SLMs阵列拼接方法，其特征在于，包括3^m*3SLMsH横向阵列拼接件的拼接，m为自然数，其进一步包括：将3^m-1*3SLMsH横向阵列拼接件作为第一显示芯片组，另两个3^m-1*3SLMsH横向阵列拼接件分别作为第二显示芯片组和第三显示芯片组，按照步骤S1至步骤S3拼接方法进行横向拼接，得到3^m*3SLMsH横向阵列拼接件。

3.如权利要求2所述的SLMs阵列拼接方法，其特征在于，包括N*3SLMsH横向阵列拼接件的拼接，N为大于1的正奇数，其进一步包括：将(N一2)*3SLMsH横向阵列拼接件作为第一显示芯片组，另两个3SLMsH横向阵列拼接件分别作为第二显示芯片组和第三显示芯片组，按照步骤S1至步骤S3拼接方法进行横向拼接，得到N*3SLMsH横向阵列拼接件。

4.如权利要求3所述的SLMs阵列拼接方法，其特征在于，包括N*3SLMsH×L二维阵列拼接件的拼接，L为大于1的正奇数，其进一步包括：将N*3SLMsH×(L-2)二维阵列拼接件作为第一显示芯片组，另两个N*3SLMsH横向阵列拼接件分别作为第二显示芯片组和第三显示芯片组，按照步骤S1至步骤S3拼接方法进行纵向拼接，得到N*3SLMsH×L二维阵列拼接件。

5.如权利要求1所述的SLMs阵列拼接方法，其特征在于，包括3^m*3SLMsV纵向阵列拼接件的拼接，m为自然数，其进一步包括：将3^m-1*3SLMsV纵向阵列拼接件作为第一显示芯片组，另两个3^m-1*3SLMsV纵向阵列拼接件分别作为第二显示芯片组和第三显示芯片组，按照步骤S1至步骤S3拼接方法进行纵向拼接，得到3^m*3SLMsV纵向阵列拼接件。

6.如权利要求5所述的SLMs阵列拼接方法，其特征在于，包括N*3SLMsV纵向阵列拼接件的拼接，N为大于1的正奇数，其进一步包括：将(N-2)*3SLMsV纵向阵列拼接件作为第一显示芯片组，另两个3SLMsV纵向阵列拼接件分别作为第二显示芯片组和第三显示芯片组，按照步骤S1至步骤S3拼接方法进行纵向拼接，得到N*3SLMsV纵向阵列拼接件。

7.如权利要求6所述的SLMs阵列拼接方法，其特征在于，包括N*3SLMsV×L二维阵列拼接件的拼接，L为大于1的正奇数，其进一步包括：将N*3SLMsV×(L-2)二维阵列拼接件作为第一显示芯片组，另两个N*3SLMsV纵向阵列拼接件分别作为第二显示芯片组和第三显示芯片组，按照步骤S1至步骤S3拼接方法进行横向拼接，得到N*3SLMsV×L二维阵列拼接件。

8.一种SLMs阵列拼接件，其特征在于，包括：

第一显示芯片组，位于基准位置，光线直接照明该显示芯片组的有效显示面；

反射单元，包括第一反射单元和第二反射单元；

第二显示芯片组和第三显示芯片组，光线经第一反射单元反射至第二显示芯片组的有效显示面，光线径第二反射单元反射至第三显示芯片组的有效显示面，第二显示芯片组和第三显示芯片组的有效显示面边缘的镜像与第一显示芯片组的有效显示面的边缘无缝连接，且各个元件的边缘对入射光未有遮挡。