[发明专利]OLED显示面板及其制作方法、OLED显示装置有效

专利信息
申请号: 201910822001.7 申请日: 2019-09-02
公开(公告)号: CN110707124B 公开(公告)日: 2021-02-26
发明(设计)人: 谢铭 申请(专利权)人: 武汉华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/32 分类号: H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: oled 显示 面板 及其 制作方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:

衬底基板;

薄膜晶体管阵列层,设置于所述衬底基板上;

平坦层,设置于所述薄膜晶体管阵列层上;

发光器件层,设置于所述平坦层上且位于所述平坦层的中部;以及

薄膜封装层,包括第一薄膜封装层和第二薄膜封装层,其中,所述第一薄膜封装层设置于所述平坦层上且位于所述平坦层的边缘,所述第一薄膜封装层覆盖所述发光器件层的侧面;所述第二薄膜封装层设置于所述发光器件层和所述第一薄膜封装层上。

2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一薄膜封装层包括依次层叠设置于所述平坦层上的第一无机层、有机层以及第二无机层。

3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一无机层和所述第二无机层的材料为氮化硅和氮氧化硅中的一种或两种的组合;所述有机层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。

4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板还包括偏光片层和保护层,其中,所述偏光片层设置于所述第二薄膜封装层上,所述保护层设置于所述偏光片层上。

5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列层的材料为低温多晶硅。

6.一种OLED显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的OLED显示面板。

7.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S10:提供衬底基板,在所述衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层;

步骤S20:在所述薄膜晶体管阵列层上形成平坦层;

步骤S30:在所述平坦层上形成第一薄膜封装层;

步骤S40:在所述第一薄膜封装层的中部刻蚀形成像素孔,并在所述像素孔内蒸镀形成发光器件层;以及

步骤S50:在所述发光器件层和所述第一薄膜封装层上形成第二薄膜封装层。

8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S30包括以下步骤:

步骤S301:将温度控制在350℃~400℃内,采用等离子增强化学气相沉积工艺在所述平坦层上形成第一无机层;

步骤S302:采用喷墨打印工艺在所述第一无机层上形成有机层;以及

步骤S302:将温度控制在350℃~400℃内,采用等离子增强化学气相沉积工艺在所述有机层上形成第二无机层。

9.根据权利要求8所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一无机层和所述第二无机层的材料为氮化硅和氮氧化硅中的一种或两种的组合;所述有机层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。

10.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:

步骤S60:在所述第二薄膜封装层上形成偏光片层;以及

步骤S70:在所述偏光片层上形成保护层。

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