[发明专利]OLED显示面板及其制作方法、OLED显示装置有效
| 申请号: | 201910822001.7 | 申请日: | 2019-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN110707124B | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
| 发明(设计)人: | 谢铭 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | oled 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种OLED显示面板,其特征在于,包括:
衬底基板;
薄膜晶体管阵列层,设置于所述衬底基板上;
平坦层,设置于所述薄膜晶体管阵列层上;
发光器件层,设置于所述平坦层上且位于所述平坦层的中部;以及
薄膜封装层,包括第一薄膜封装层和第二薄膜封装层,其中,所述第一薄膜封装层设置于所述平坦层上且位于所述平坦层的边缘,所述第一薄膜封装层覆盖所述发光器件层的侧面;所述第二薄膜封装层设置于所述发光器件层和所述第一薄膜封装层上。
2.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一薄膜封装层包括依次层叠设置于所述平坦层上的第一无机层、有机层以及第二无机层。
3.根据权利要求2所述的OLED显示面板,其特征在于,所述第一无机层和所述第二无机层的材料为氮化硅和氮氧化硅中的一种或两种的组合;所述有机层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
4.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述OLED显示面板还包括偏光片层和保护层,其中,所述偏光片层设置于所述第二薄膜封装层上,所述保护层设置于所述偏光片层上。
5.根据权利要求1所述的OLED显示面板,其特征在于,所述薄膜晶体管阵列层的材料为低温多晶硅。
6.一种OLED显示装置,其特征在于,包括权利要求1-5任一项所述的OLED显示面板。
7.一种OLED显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
步骤S10:提供衬底基板,在所述衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层;
步骤S20:在所述薄膜晶体管阵列层上形成平坦层;
步骤S30:在所述平坦层上形成第一薄膜封装层;
步骤S40:在所述第一薄膜封装层的中部刻蚀形成像素孔,并在所述像素孔内蒸镀形成发光器件层;以及
步骤S50:在所述发光器件层和所述第一薄膜封装层上形成第二薄膜封装层。
8.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述步骤S30包括以下步骤:
步骤S301:将温度控制在350℃~400℃内,采用等离子增强化学气相沉积工艺在所述平坦层上形成第一无机层;
步骤S302:采用喷墨打印工艺在所述第一无机层上形成有机层;以及
步骤S302:将温度控制在350℃~400℃内,采用等离子增强化学气相沉积工艺在所述有机层上形成第二无机层。
9.根据权利要求8所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,所述第一无机层和所述第二无机层的材料为氮化硅和氮氧化硅中的一种或两种的组合;所述有机层的材料为聚甲基丙烯酸甲酯。
10.根据权利要求7所述的OLED显示面板的制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:
步骤S60:在所述第二薄膜封装层上形成偏光片层;以及
步骤S70:在所述偏光片层上形成保护层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910822001.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





