[发明专利]提高铝合金电子器件封装气密性的方法在审
| 申请号： | 201910820046.0 | 申请日： | 2017-07-28 |
| 公开（公告）号： | CN110524133A | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 唐建超 | 申请（专利权）人： | 成都盘涅科技有限公司 |
| 主分类号： | B23K31/02 | 分类号： | B23K31/02;C23C24/10;B23K101/36 |
| 代理公司： | 51233 成都中玺知识产权代理有限公司 | 代理人： | 谭昌驰;邢伟<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 610000 四川省成都市高*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 焊缝 铝合金 电子器件封装 成品率 气密性 致密 保护气体 电子器件 航空航天 激光熔覆 清洁处理 熔覆粉末 结合层 耐受 熔覆 焊接 生产成本 覆盖 | ||
1.一种提高铝合金电子器件封装气密性的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
对通过焊接完成封装的铝合金电子器件的焊缝进行清洁处理；
设置覆盖焊缝外表面的待熔覆粉末层，进行激光熔覆并控制熔覆温度始终不高于第一温度，以在所述焊缝上形成致密结合层，其中，所述第一温度为所述铝合金电子器件内的电子元件的温度耐受上限值且不高于100℃。
2.根据权利要求1所述的提高铝合金电子器件封装气密性的方法，其特征在于，所述待熔覆粉末由按重量份计1～10份的第一粉末和1份的第二粉末混合而成，其中，第一粉末的成分与铝合金基体的成分相同或与铝合金基体的成分有60～90wt％以上相同；第二粉末为铝基硬钎剂。
3.根据权利要求1所述的提高铝合金电子器件封装气密性的方法，其特征在于，所述待熔覆粉末层的厚度在0.1～0.75mm的范围内选择。
4.根据权利要求1所述的提高铝合金电子器件封装气密性的方法，其特征在于，所述方法通过控制激光输入功率、离焦量、脉冲频率、熔覆扫描速度和外加冷却夹具的冷却效率中的一项或两项以上的组合来实现控制激光熔覆的温度不高于第一温度。
5.一种制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法，所述方法包括以下步骤：
将电子元件置于铝合金壳体中，对铝合金壳体的缝隙进行焊接；
对所述焊接形成的焊缝进行清洁处理；
设置覆盖焊缝外表面的待熔覆粉末层，进行激光熔覆并控制熔覆温度始终不高于第一温度，以在所述焊缝上形成致密结合层，其中，所述第一温度为所述电子元件的温度耐受上限值且不高于100℃。
6.根据权利要求4所述的制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法，其特征在于，所述待熔覆粉末由按重量份计1～10份的第一粉末和1份的第二粉末混合而成，其中，第一粉末的成分与铝合金基体的成分相同或与铝合金基体的成分有60～90wt％以上相同；第二粉末为铝基硬钎剂。
7.根据权利要求5所述的制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法，其特征在于，所述待熔覆粉末层的厚度在0.1～0.75mm的范围内选择。
8.根据权利要求5所述的制造具有优良封装气密性的铝合金电子器件的方法，其特征在于，所述方法通过控制激光输入功率、离焦量、脉冲频率、熔覆扫描速度和外加冷却夹具的冷却效率中的一项或两项以上的组合来实现控制激光熔覆的温度不高于第一温度。
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