[发明专利]光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机

说明书

本发明涉及一种光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机。该方法包括：获取闲置时间，所述闲置时间指当前批次曝光工艺开始前光刻机的非曝光时间；光刻机进行当前批次第一片晶圆曝光前通过闲置时间与套刻补偿值的关系模型及闲置时间获取第一片晶圆对应的套刻补偿值，所述光刻机根据所述对应的套刻补偿值对第一片晶圆进行曝光，消除了当前批次曝光工艺开始前光刻机的闲置时间对当前批次第一片晶圆的套刻精度的影响，消除了同批次产品进行曝光工艺时的第一片效应。

技术领域

本发明涉及半导体设备技术领域，特别是涉及一种光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机。

背景技术

随着半导体制造技术的发展，业内逐步采用了浸润式光刻工艺，浸润式光刻工艺通常包括在晶圆表面涂布光刻胶及对该光刻胶进行曝光以得到图形。在使用浸润式光刻机进行曝光期间，曝光镜头与承载台之间的空间填满浸液，用于增大数值孔径、提高分辨率。但是，由于在不同晶圆的曝光转换过程中，光刻机机台环境会发生改变，变化的机台环境导致晶圆之间套刻精度存在差异。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种新的光刻机的套刻误差校正方法及系统、光刻机。

一种光刻机的套刻误差校正方法，该方法包括：

获取闲置时间；

光刻机进行当前批次第一片晶圆曝光前通过闲置时间与套刻补偿值的关系模型及闲置时间获取所述第一片晶圆对应的套刻补偿值，光刻机根据对应的套刻补偿值对第一片晶圆进行曝光。

在其中一个实施例中，校正方法应用于浸润式光刻，在闲置时间内光刻机的曝光镜头与承载台之间无浸液。

在其中一个实施例中，校正方法还包括建立关系模型的步骤。

在其中一个实施例中，套刻补偿值包括晶圆在X方向上的套刻补偿值以及晶圆在Y方向上的套刻补偿值，X方向和Y方向垂直。

在其中一个实施例中，建立关系模型的步骤包括：

获取第一闲置时间下套刻图形在X方向上的第一X方向偏移量以及套刻图形在Y方向上的第一Y方向偏移量；

根据第一X方向偏移量获取第一X方向套刻补偿值，根据第一Y方向偏移量获取第一Y方向套刻补偿值；

获取第二闲置时间下套刻图形在X方向上的第二X方向偏移量以及套刻图形在Y方向上的第二Y方向偏移量；

根据第二X方向偏移量获取第二X方向套刻补偿值，根据第二Y方向偏移量获取第二Y方向套刻补偿值。

在其中一个实施例中，建立关系模型的步骤包括：

根据闲置时间和X方向上的套刻补偿值拟合第一关系模型；

根据闲置时间和Y方向上的套刻补偿值拟合第二关系模型。

在其中一个实施例中，套刻补偿值包括差异套刻补偿值，光刻机根据所述第一片晶圆对应的差异套刻补偿值对所述第一片晶圆进行曝光。

上述校正方法，包括获取闲置时间；光刻机进行当前批次第一片晶圆曝光前通过闲置时间与套刻补偿值的关系模型及闲置时间获取第一片晶圆对应的套刻补偿值，光刻机根据对应的套刻补偿值对第一片晶圆进行曝光，消除了当前批次曝光工艺开始前光刻机的闲置时间对当前批次第一片晶圆的套刻精度的影响，消除了同批次产品进行曝光工艺时的第一片效应。

一种光刻机的套刻误差校正系统，包括：

时间获取模块，用于获取闲置时间；

补偿值获取模块，用于在光刻机进行当前批次第一片晶圆曝光工艺前通过闲置时间与套刻补偿值的关系模型及闲置时间获取第一片晶圆对应的套刻补偿值；