[发明专利]耐电晕、高导热多层复合薄膜及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种制备多层复合薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：

S1a、制备聚酰胺酸溶液Ia，

S1b、制备含有表面改性的无机纳米粒子的聚酰胺酸溶液Ib，

S1c、制备含有表面改性的无机纳米粒子的聚酰胺酸溶液和多官能度单体的混合液Ic；

S2、将步骤S1a得到的聚酰胺酸溶液Ia、步骤S1b得到的聚酰胺酸溶液Ib和步骤S1c得到的混合液Ic中的至少两种，交替成膜并亚胺化，

其中，步骤S2中所述交替成膜并亚胺化的过程使得形成的多层复合薄膜中包括第一最外层(11)和第二最外层(12)，和任选夹在所述第一最外层(11)和第二最外层(12)之间的中间层(2)，

其中，所述第一最外层(11)和第二最外层(12)为由Ia形成的聚酰亚胺层PI-a或由Ic形成的聚酰亚胺层PI-c，

所述中间层(2)包括选自由Ia形成的聚酰亚胺层PI-a、由Ib形成的聚酰亚胺层PI-b和由Ic形成的聚酰亚胺层PI-c中的一种的第一中间层(21)和任选与所述第一中间层(21)交替叠置的选自由Ia形成的聚酰亚胺层PI-a、由Ib形成的聚酰亚胺层PI-b和由Ic形成的聚酰亚胺层PI-c中的至少一种的第二中间层(22)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成的多层复合薄膜中，所述PI-a的层数为m，厚度分别为X₁，X₂，……，X_m，PI-b的层数为n，厚度分别为Y₁，Y₂，……，Y_n，PI-c的层数为l，厚度分为Z₁，Z₂，……，Z_l，多层复合薄膜的总厚度为D，D＝X₁+X₂+……+X_m+Y₁+Y₂+……+Y_n+Z₁+Z₂+……+Z_l，

其中，步骤S2中所述交替成膜并亚胺化的的顺序以及Ia、Ib和Ic的用量使得形成的多层复合薄膜中，D为25-140μm，优选为50-80μm，X₁，X₂，……，X_m相同或不同，且各自为8-20μm，Y₁，Y₂，……，Y_n相同或不同，且各自为10-40μm，优选为10-20μm，Z₁，Z₂，……，Z_l相同或不同，且各自为15-30μm，m、n、l各自为0-3之间的整数，且m和l不同时为0；优选地，m为1-3之间的整数，n为0-2之间的整数，l为1-3之间的整数。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S2中交替成膜并亚胺化的过程包括：将步骤S1a得到的聚酰胺酸溶液Ia和步骤S1b得到的聚酰胺酸溶液Ib中的至少一种，与步骤S1c得到的混合液Ic，交替成膜并亚胺化，

其中，所述中间层(2)包括第一中间层(21)和任选与第一中间层(21)交替对称叠置的第二中间层(22)；

优选地，所述第一最外层(11)和所述第二最外层(12)为由Ia形成的聚酰亚胺层PI-a，所述第一中间层(21)为由Ic形成的聚酰亚胺层PI-c或由Ib形成的聚酰亚胺层PI-b，所述第二中间层(22)选自由Ia形成的聚酰亚胺层PI-a、由Ib形成的聚酰亚胺层PI-b和由Ic形成的聚酰亚胺层PI-c中的至少一种；或者

所述第一最外层(11)和所述第二最外层(12)为由Ic形成的聚酰亚胺层PI-c，所述第一中间层(21)为由Ia形成的聚酰亚胺层PI-a或由Ib形成的聚酰亚胺层PI-b，所述第二中间层(22)选自由Ia形成的聚酰亚胺层PI-a、由Ib形成的聚酰亚胺层PI-b和由Ic形成的聚酰亚胺层PI-c中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤S1a中，制备聚酰胺酸溶液Ia的过程包括：将二酐单体和二胺单体在非质子极性溶剂的存在下，进行第一混合接触。