[发明专利]一种显示基板及制备方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201910818529.7 申请日: 2019-08-30
公开(公告)号: CN110534660A 公开(公告)日: 2019-12-03
发明(设计)人: 邹清华;朱儒晖;王玉;任军 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 代理人: 解婷婷;曲鹏<国际申请>=<国际公布>=
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 平坦化层 辅助电极层 第一电极 薄膜晶体管 第二电极 驱动结构 显示基板 电连接 像素界定层 有机发光层 显示装置 依次设置 漏电极 源电极 电阻 功耗 制备 申请 覆盖
【权利要求书】:

1.一种显示基板,包括:包括薄膜晶体管的驱动结构层、覆盖所述驱动结构层的第一平坦化层、完全覆盖所述第一平坦化层的辅助电极层、设置在所述辅助电极层上的第二平坦化层、设置在所述第二平坦化层上的第一电极,依次设置在所述第一电极上的像素界定层、有机发光层、第二电极,所述第二电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接,所述第一电极与所述辅助电极层电连接。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述显示基板还包括设置在所述第二平坦化层表面的连接电极,所述第二平坦化层上设置有第一过孔和第二过孔;

所述第二电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接包括:所述第二电极与所述连接电极电连接,所述连接电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接;

所述第一电极与所述辅助电极层电连接包括:所述第一电极通过所述第二过孔与所述辅助电极层电连接。

3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极与所述连接电极电连接包括:所述第二电极覆盖在所述连接电极表面。

4.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述连接电极通过所述第一过孔中的第一导通电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极连接,所述第一电极通过所述第二过孔中的第二导通电极与所述辅助电极层连接,且所述第一导通电极和所述第二导通电极的材料相同,所述连接电极与所述第一导通电极的材料不同。

5.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述有机发光层的正投影位于所述连接电极的正投影之外的区域。

6.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述辅助电极层的厚度大于所述第二电极的厚度。

7.根据权利要求1至6任一所述的显示基板,其特征在于,所述第二电极为高穿透率的透明电极。

8.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1~7任一所述的显示基板。

9.一种显示基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:

形成包括薄膜晶体管的驱动结构层以及覆盖所述驱动结构层的第一平坦化层;

形成完全覆盖所述第一平坦化层的辅助电极层;

形成设置在所述辅助电极层上的第二平坦化层;

形成设置在所述第二平坦化层上的第一电极,且所述第一电极与所述辅助电极层电连接;

依次形成设置在所述第一电极上的像素界定层、有机发光层、第二电极,且所述第二电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接。

10.根据权利要求9所述的显示基板的制备方法,其特征在于,

所述形成设置在所述辅助电极层上的第二平坦化层包括:

形成设置有第一过孔和第二过孔的第二平坦化层;

所述形成设置在所述第二平坦化层上的第一电极包括:

形成设置在所述第二平坦化层上的连接电极和第一电极;

所述第二电极与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接包括:所述第二电极与所述连接电极电连接,所述连接电极通过所述第一过孔与所述薄膜晶体管的源电极或漏电极电连接;

所述第一电极与所述辅助电极层电连接包括:所述第一电极通过所述第二过孔与所述辅助电极层电连接。

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