[发明专利]光电晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种光电晶体管，其特征在于，包括基板、栅极层、栅极绝缘层以及有源层；所述栅极层设置在所述基板上，所述栅极绝缘层设置在所述栅极层远离所述基板的一侧，所述栅极绝缘层含有绝缘材料和光致变色材料，所述有源层设置在所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧。

2.如权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层包括以所述绝缘材料为基体、并掺杂有所述光致变色材料的混合材料层。

3.如权利要求2所述的光电晶体管，其特征在于，在所述混合材料层中，所述绝缘材料和所述光致变色材料的质量之比为1:1～19:1。

4.如权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层包括绝缘材料层和光致变色材料层，所述光致变色材料层设置在所述有源层与所述绝缘材料层之间。

5.如权利要求1所述的光电晶体管，其特征在于，所述栅极绝缘层包括绝缘材料层和光致变色材料层，所述光致变色材料层设置在所述绝缘材料层与所述栅极层之间。

6.如权利要求4或5所述的光电晶体管，其特征在于，所述光致变色材料层的厚度为10nm～50nm。

7.如权利要求1～5任一项所述的光电晶体管，其特征在于，还包括网状源极和漏极，所述网状源极设置在所述有源层和所述栅极绝缘层之间，所述漏极设置在所述有源层的远离所述栅极绝缘层的一侧。

8.如权利要求1～5任一项所述的光电晶体管，其特征在于，所述光致变色材料选自螺吡喃类化合物、螺恶嗪类化合物、偶氮化合物、二芳基乙烯类化合物和多环醌类化合物中的一种或多种。

9.如权利要求1～5任一项所述的光电晶体管，其特征在于，所述绝缘材料选自有机聚合物材料、无机氧化物材料和铁电材料中的一种或多种。

10.一种光电晶体管的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供或制备表面设有栅极层的基板；

在所述栅极层远离所述基板的一侧制作栅极绝缘层，所述栅极绝缘层含有绝缘材料和光致变色材料；

在所述栅极绝缘层远离所述栅极层的一侧制作有源层。

11.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，在所述栅极层远离所述基板的一侧制作栅极绝缘层包括：

将所述绝缘材料和所述光致变色材料一同溶解于溶剂中形成混合液；

将所述混合液涂布于所述栅极层上，干燥形成混合材料层。

12.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极层远离所述基板的一侧制作栅极绝缘层包括：

在所述栅极层上采用绝缘材料制作绝缘材料层；

在所述绝缘材料层上采用光致变色材料制作光致变色材料层。

13.如权利要求10所述的制作方法，其特征在于，所述在所述栅极层远离所述基板的一侧制作栅极绝缘层包括：

在所述栅极层上采用光致变色材料制作光致变色材料层；

在光致变色材料层上采用绝缘材料制作绝缘材料层。