[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一半导体装置，其特征在于，包含：

一栅极结构，于一基材上；

一源极/漏极元件，邻接该栅极结构；

一介电膜堆叠，于该栅极结构和该基材上，其中该介电膜堆叠包含：

一第一层间介电层，于该基材和该栅极结构上；

一阻障层，于该第一层间介电层上；以及

一第二层间介电层，于该阻障层上；以及

延伸穿过该介电膜堆叠的一两斜度接触，该两斜度接触抵靠该基材的一顶表面且接触该源极/漏极元件，其中

该两斜度接触的一顶部具有一第一直径；

该两斜度接触的一底部具有一第二直径；以及

延伸穿过该阻障层的该两斜度接触的一部分具有一第三直径，其中该第一直径是大于该第三直径，该第一直径是小于或等于该第三直径的两倍，其中该两斜度接触具有抵靠着该第二层间介电层的一上侧壁以及抵靠着该第一层间介电层的一下侧壁，该第二层间介电层的一顶表面平行延伸而具有一参考线，该上侧壁与该参考线的一斜度介于45°至85°，该下侧壁与该基材的该顶表面的一斜度介于85°至89.5°。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该阻障层是氮化硅层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一层间介电层和该阻障层是不同的介电材料，且该第二层间介电层和该阻障层是不同的介电材料。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第三直径是该第二直径的至少1.1倍。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一直径是该第三直径的至少1.15倍。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第三直径是该第二直径的至少1.1倍，且该第一直径是该第二直径的至少1.15倍。