[发明专利]显示装置、栅极驱动电路、移位寄存电路及其驱动方法

权利要求书

1.一种移位寄存电路，其特征在于，包括输入端、第一控制信号端、第二控制信号端和输出端，还包括：

输入模块，所述输入模块分别与所述输入端、所述第一控制信号端和所述第二控制信号端相连，用于在所述第一控制信号端输入的第一控制信号和所述第二控制信号端输入的第二控制信号的作用下，接收所述输入端输入的输入信号；

存储模块，所述存储模块与所述输入模块相连，用于存储所述输入模块接收到的输入信号；

传输模块，所述传输模块分别与所述存储模块、所述第一控制信号端和所述第二控制信号端相连，用于在所述第一控制信号和所述第二控制信号的作用下，将所述存储模块存储的输入信号传输至预设节点；

输出模块，所述输出模块分别与所述预设节点、所述输出端、高电平偏置电压线和低电平偏置电压线相连，用于在所述预设节点处的输入信号的作用下，通过所述输出端输出高电平或低电平。

2.如权利要求1所述的移位寄存电路，其特征在于，所述第一控制信号和所述第二控制信号互补。

3.如权利要求1所述的移位寄存电路，其特征在于，所述存储模块包括第一存储模块和第二存储模块，其中，所述输入模块包括：

第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述输入端相连，所述第一薄膜晶体管的第二极与所述第一存储模块相连，并形成第一节点，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述第一控制信号端相连；

第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管的第一极与所述输入端相连，所述第三薄膜晶体管的第二极与所述第二存储模块相连，并形成第二节点，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述第二控制信号端相连。

4.如权利要求3所述的移位寄存电路，其特征在于，所述传输模块包括：

第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的第一极与所述第一节点相连，所述第二薄膜晶体管的第二极与所述预设节点相连，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述第二控制信号端相连；

第四薄膜晶体管，所述第四薄膜晶体管的第一极与所述第二节点相连，所述第四薄膜晶体管的第二极与所述预设节点相连，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述第一控制信号端相连。

5.如权利要求1所述的移位寄存电路，其特征在于，所述输出模块包括：

反相子模块；

第五薄膜晶体管，所述第五薄膜晶体管的第一极与所述高电平偏置电压线相连，所述第五薄膜晶体管的第二极与所述输出端相连，所述第五薄膜晶体管的栅极与所述预设节点相连；

第六薄膜晶体管，所述第六薄膜晶体管的第一极与所述输出端相连，所述第六薄膜晶体管的第二极与所述低电平偏置电压线相连，所述第六薄膜晶体管的栅极通过所述反相子模块与所述预设节点相连。

6.如权利要求5所述的移位寄存电路，其特征在于，所述反相子模块包括：

第七薄膜晶体管，所述第七薄膜晶体管的第一极与第一高电平端相连，所述第七薄膜晶体管的第二极与所述第六薄膜晶体管的栅极相连，所述第七薄膜晶体管的栅极与所述预设节点相连；

第八薄膜晶体管，所述第八薄膜晶体管的第一极与所述第六薄膜晶体管的栅极相连，所述第八薄膜晶体管的第二极与第一低电平端相连，所述第八薄膜晶体管的栅极与所述预设节点相连；

其中，所述第七薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第八薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。

7.如权利要求3所述的移位寄存电路，其特征在于，

所述第一存储模块包括第一电容，所述第一电容的一端与所述第一节点相连，所述第一电容的另一端与第一公共端相连；

所述第二存储模块包括第二电容，所述第二电容的一端与所述第二节点相连，所述第二电容的另一端与第二公共端相连。