[发明专利]半导体装置

说明书

一种半导体装置包括：衬底；第一绝缘夹层，位于所述衬底上；第一布线，位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中；绝缘图案，位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上，所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料；刻蚀停止结构，位于所述第一布线及所述绝缘图案上；第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止结构上；以及通路，延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构，以接触所述第一布线的上表面。

[相关申请的交叉参考]

2018年10月1日在韩国知识产权局(Korean Intellectual Property Office，KIPO)提出申请且名称为“半导体装置及其制造方法(Semiconductor Devices andMethods of Manufacturing the Same)”的韩国专利申请第10-2018-0116855号全部以引用方式并入本文中。

技术领域

实施例涉及半导体装置及其制造方法。

背景技术

可形成位于上部水平高度处的布线之下的通路，以接触位于下部水平高度处的布线中的某一布线的上表面。

发明内容

实施例可通过提供一种半导体装置来实现，所述半导体装置包括：衬底；第一绝缘夹层，位于所述衬底上；第一布线，位于所述衬底上的所述第一绝缘夹层中；绝缘图案，位于所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上，所述绝缘图案具有垂直侧壁且包含低介电材料；刻蚀停止结构，位于所述第一布线及所述绝缘图案上；第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止结构上；以及通路，延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构，以接触所述第一布线的上表面。

实施例可通过提供一种半导体装置来实现，所述半导体装置包括：衬底；布线，位于所述衬底上；第一绝缘夹层，位于所述衬底上，所述第一绝缘夹层覆盖所述布线的侧壁的至少部分，且所述第一绝缘夹层的上部部分具有比所述第一绝缘夹层的其他部分的碳浓度高的碳浓度；绝缘图案，位于所述第一绝缘夹层上，所述绝缘图案包含低介电材料；刻蚀停止层，位于所述布线及所述绝缘图案上；第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止层上；以及通路，延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止层，以接触所述布线的上表面。

实施例可通过提供一种半导体装置来实现，所述半导体装置包括：衬底，包括第一区及第二区；第一绝缘夹层，位于所述衬底上；第一布线，在所述衬底的所述第一区上位于所述第一绝缘夹层中；第二布线，在所述衬底的所述第二区上位于所述第一绝缘夹层中；绝缘图案，位于所述衬底的所述第一区上所述第一绝缘夹层的临近所述第一布线的部分上；刻蚀停止结构，位于所述第一绝缘夹层、所述第一布线、所述第二布线及所述绝缘图案上；第二绝缘夹层，位于所述刻蚀停止结构上；以及通路，在所述衬底的所述第一区上延伸穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构，以接触所述第一布线的上表面，其中所述绝缘图案不形成在所述衬底的所述第二区上。

实施例可通过提供一种制造半导体装置的方法来实现，所述方法包括：在衬底上的第一绝缘夹层中形成布线；形成包括第一图案及第二图案的直接自组装(direct selfassembly，DSA)层，所述第一图案布置在所述布线上且所述第二图案布置在所述第一绝缘夹层上；移除所述第二图案以形成第一开口，从而暴露出所述第一绝缘夹层的上表面；形成绝缘图案以填充所述第一开口，所述绝缘图案包含低介电材料；移除所述第一图案以形成第二开口，从而暴露出所述布线的上表面；在所述布线的暴露出的所述上表面以及所述绝缘图案的侧壁及下表面上形成刻蚀停止结构；在所述刻蚀停止结构上形成第二绝缘夹层以填充所述第二开口；以及形成穿过所述第二绝缘夹层及所述刻蚀停止结构的通路，所述通路接触所述布线的所述上表面。