[发明专利]一种变压器温升试验方法及装置

说明书

本发明提供一种变压器温升试验方法，其中变压器的高压侧包括两个并联的高压线圈，低压侧包括分别与两个高压线圈对应的两个独立的低压线圈；每个低压线圈具有若干个分接档位，两个低压线圈中相同档位线圈的运行电流相同，温升试验方法包括：将两个低压线圈中待试验的一组相同档位线圈相互串联短路；向变压器的高压侧施加试验电流，以使低压侧的两个低压线圈中待试验的一组相同档位线圈的运行电流达到额定工作电流。本发明还提供相应的装置。本发明所述变压器温升试验方法及装置通过将低压侧相同档位的两个线圈串联短接，可以实现低压侧线圈同时加载时各个档位的温升试验，全面考核变压器实际运行工况，解决了此类变压器温升试验不足的问题。

技术领域

本发明涉及变压器技术领域，具体涉及一种变压器温升试验方法，以及一种变压器温升试验装置。

背景技术

多晶硅还原炉是制造多晶硅的必要设备，在多晶硅产品的生产过程中，需使用多晶硅还原炉变压器提供电源。多晶硅还原炉变压器既需要满足调压要求，又需要为调压电路提供精确的电阻值，具体要求包括：在使用过程中要求变压器具有良好的抗短路能力和抗系统电源谐波能力；在还原炉工作初期，硅芯直径细，阻值大，需施加较高电压，变压器电感要求大，随着硅的沉积，硅芯逐渐变大，阻值变小，需要较低电压，变压器电感要求低，在整个工作过程中，变压器需要输出的电流从100多安增加到几千安，电压从几千伏降低到几百伏，对变压器的要求较高。

变压器的温升试验是制造厂在试验中鉴定变压器产品质量的重要试验项目之一。温升试验的目的就是要确定变压器各种部件在温升条件下的各项参数是否符合有关标准规定的要求，从而为变压器长期安全运行提供可靠的依据。因此，温升试验关系到变压器的安全性、可靠性和使用寿命；如果在变压器制造厂内温升试验方法不合理，不全面，没有将变压器实际运行工况考核全面，将给此类变压器运行留下安全隐患。

目前，多晶硅还原炉变压器的高压侧进线电源相数为三相，低压侧输出相数为单相，低压绕组可同时输出多种不同的电压和电流，并且部分电压档的电流值非常大。对于一些大容量、大电流的多晶硅干式还原炉用变压器，其工作原理复杂，运行工况特殊，需要对其进行的温升试验已经超出目前国家标准GB 1094.2-2013、GB 1094.11-2007的范畴。对于这些变压器的温升试验方法目前还没有可依据的标准；并且，通常的温升试验只进行低压侧单个低压最大档位的温升测试，而对于低压线圈同时负载的其它分接档位的温升性能无法进行测试，使得其它分接档位的温升性能不能得到有效验证。

发明内容

为了至少部分解决现有技术中存在的多晶硅还原炉变压器无法进行各个不同档位温升试验的技术问题而完成了本发明。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是：

本发明提供一种变压器温升试验方法，所述变压器的高压侧包括两个并联的高压线圈，所述变压器的低压侧包括分别与两个高压线圈对应的两个独立的低压线圈；每个低压线圈具有若干个分接档位，两个低压线圈中相同档位线圈的运行电流相同，所述温升试验方法包括：

将两个低压线圈中待试验的一组相同档位线圈相互串联短路；

向所述变压器的高压侧施加试验电流，以使低压侧的两个低压线圈中待试验的一组相同档位线圈的运行电流达到额定工作电流。

进一步的，所述每个低压线圈具有3～6个分接档位。

进一步的，所述温升试验方法具体包括：

依次将两个低压线圈中各组相同档位线圈相互串联短路；

在两个低压线圈中每一组相同档位线圈相互串联短路时，就向所述变压器的高压侧施加试验电流，以使低压侧的两个低压线圈中该组相同档位线圈的运行电流达到额定工作电流，直至完成两个低压线圈各个档位的温升试验。