[发明专利]优化通孔层工艺窗口的辅助图形及方法

权利要求书

1.一种优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：包含：

步骤一：输入版图图形；

步骤二：对所述版图图形进行基于规则的光学邻近效应修正得到新的目标图形，在新的目标图形中添加亚分辨率辅助图形SRAF；

步骤三：对上述步骤二中形成的目标图形进行仿真，找到工艺窗口过小的点，把这些点截取出来，通过反演光刻技术产生自由形式布局图案；

步骤四：简化反演光刻技术产生的布局图案，采用类环形辅助图形SRAF插在主图形四周；

步骤五：对经过上述步骤的目标图形再次进行模拟仿真，与步骤三得到的图形对比。

2.如权利要求1所述的优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤一中的版图图形为芯片版图。

3.如权利要求1所述的优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤二中，基于规则的光学邻近效应修正修正，是将欲曝光在半导体衬底上的原始图案，利用计算机和套装软件运算加以计算修正，得到与原始图案不同的结果图形，再将此结果图形输入计算机存档。

4.如权利要求1所述的优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤三中，反演光刻是将光学邻近效应校正或光源-掩模交互优化的过程看作为逆向处理的问题，将光刻后的目标图形设为理想的成像结果，根据已知成像结果，根据成像系统空间像的变换模型，反演计算出掩模图像。

5.如权利要求1所述的优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤三中，经过反演光刻技术得到的布局图案，得到最佳辅助图形SRAF的宽度选择和位置选择。

6.如权利要求1所述的优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤三中，工艺窗口过小的点，是指PV-band值大于等于线宽的10%；所述PV-band值，是指通过组合不同的剂量和焦距，对主图形模拟仿真得到多个曝光仿真图形，最大的曝光仿真图形的CD与最小的曝光仿真图形的CD的差值即为PV-band值。

7.如权利要求1所述的优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：所述步骤四中的类环形辅助图形SRAF，为封闭的多边形。

8.如权利要求7所述的优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：所述的类环形辅助图形SRAF，至少包含有水平、垂直、45度、135度的边。

9.如权利要求1所述的优化通孔层工艺窗口的方法，其特征在于：所述插入的类环形辅助图形SRAF后的目标图形进行模拟仿真得到的PV-band值能减少近15%。