[发明专利]低温离子注入机及其工作方法在审
| 申请号: | 201910809230.5 | 申请日: | 2019-08-29 |
| 公开(公告)号: | CN110473812A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
| 发明(设计)人: | 刘东伟;张立;谢威 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/68;H01L21/265 |
| 代理公司: | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 郭四华<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 晶圆 角度对准 工艺腔 低温离子 冷却台板 预冷却 注入机 离子 传送位置 冷却装置 温度降低 预真空腔 传送腔 冷却 污染源 | ||
1.一种低温离子注入机,其特征在于,包括:预真空腔,传送腔,角度对准腔,工艺腔;
所述角度对准腔设置有冷却装置,所述角度对准腔用于在将晶圆传送到所述工艺腔之前对所述晶圆进行角度对准以及对所述晶圆进行预冷却;
在所述工艺腔中包括有冷却台板,所述冷却台板用于放置经过角度对准以及预冷却的所述晶圆并对所述晶圆进行冷却以将所述晶圆的温度降低到工艺温度范围内,所述工艺温度为低于室温的低温;所述工艺腔用于对处于工艺温度范围的所述晶圆进行离子注入。
2.如权利要求1所述的低温离子注入机,其特征在于:所述晶圆的边缘上设置有一个定位凹槽或边,所述角度对准腔通过和所述定位凹槽或边对齐实现对所述晶圆的角度对准。
3.如权利要求1所述的低温离子注入机,其特征在于:所述冷却台板上设置有第一冷却管,所述第一冷却管和冷却剂源相连,所述冷却剂源将冷却剂流入到所述第一冷却管中实现对所述冷却台板的温度控制。
4.如权利要求3所述的低温离子注入机,其特征在于:所述角度对准腔的所述冷却装置上设置有第二冷却管,所述第二冷却管也和所述冷却剂源相连,所述冷却剂源将冷却剂流入到所述第二冷却管中实现对所述角度对准腔的温度控制。
5.如权利要求4所述的低温离子注入机,其特征在于:所述角度对准腔直接将所述晶圆预冷却到所述工艺温度范围内,所述晶圆传送到所述冷却台板之后直接开始进行离子注入。
6.如权利要求4所述的低温离子注入机,其特征在于:所述冷却剂包括液体氢,液体氦,液体氮,液体氧。
7.如权利要求1所述的低温离子注入机,其特征在于:所述角度对准腔完成所述角度对准和所述预冷却的时间小于所述工艺腔的离子注入时间。
8.如权利要求1所述的低温离子注入机,其特征在于:所述传送腔中包括有机械手,预冷却后的所述晶圆通过所述机械手从所述角度对准腔中传送到所述工艺腔的所述冷却台板上。
9.一种低温离子注入机的工作方法,其特征在于:离子注入机包括预真空腔,传送腔,角度对准腔,工艺腔;低温离子注入机的工作包括:
步骤一、所述传送腔将晶圆从所述预真空腔传输到所述角度对准腔中;
步骤二、所述角度对准腔设置有冷却装置,所述角度对准腔对所述晶圆进行角度对准以及对所述晶圆进行预冷却;
步骤三、所述传送腔将所述经过角度对准以及预冷却的所述晶圆传送到所述工艺腔中并放置在所述工艺腔中的冷却台板上,所述冷却台板对所述晶圆进行冷却以将所述晶圆的温度降低到工艺温度范围内,所述工艺温度为低于室温的低温;所述工艺腔对处于工艺温度范围的所述晶圆进行离子注入。
10.如权利要求9所述的低温离子注入机的工作方法,其特征在于:所述晶圆的边缘上设置有一个定位凹槽或边,所述角度对准腔通过和所述定位凹槽或边对齐实现对所述晶圆的角度对准。
11.如权利要求9所述的低温离子注入机的工作方法,其特征在于:所述冷却台板上设置有第一冷却管,所述第一冷却管和冷却剂源相连,所述冷却剂源将冷却剂流入到所述第一冷却管中实现对所述冷却台板的温度控制。
12.如权利要求11所述的低温离子注入机的工作方法,其特征在于:所述角度对准腔的所述冷却装置上设置有第二冷却管,所述第二冷却管也和所述冷却剂源相连,所述冷却剂源将冷却剂流入到所述第二冷却管中实现对所述角度对准腔的温度控制。
13.如权利要求12所述的低温离子注入机的工作方法,其特征在于:所述角度对准腔直接将所述晶圆预冷却到所述工艺温度范围内,所述晶圆传送到所述冷却台板之后直接开始进行离子注入。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司,未经上海华力集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910809230.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





